[发明专利]一种纳米花-纳米片双无机纳米调驱体系及其应用

权利要求书

1.一种纳米花-纳米片双无机纳米调驱体系，其特征在于，包括改性MoS₂纳米花、改性MoS₂纳米片和烷基酚聚氧乙烯醚；

所述改性MoS₂纳米片、改性MoS₂纳米花与烷基酚聚氧乙烯醚的质量比为1:1:2；

所述改性MoS₂纳米花的制备方法，包括以下步骤：

(1)将MoS₂和NH₄SCN混合，加入矿化度水，180～220℃下高压蒸压12～36h，冷却至室温，离心，洗涤，冷冻干燥得到固态MoS₂纳米花；

(2)将所述固态MoS₂纳米花分散于水中，加入烷基糖苷进行一次接枝；

(3)向步骤(2)的混合物中加入吉米奇季铵盐表面活性剂，进行二次接枝；

(4)向步骤(3)得到的混合物中加入甜菜碱，进行三次接枝，接枝后冷却至室温，洗涤，透析，得到改性MoS₂纳米花；

所述改性MoS₂纳米片的制备方法，包括如下步骤：

(1)将二硫化钼分散于水中，得到二硫化钼分散液，在所述二硫化钼分散液中溶解七钼酸六铵和硫脲，在温度180～220℃下高压蒸压18～25h，溶液冷却后冷冻干燥，得到固态二硫化钼纳米片状材料；

(2)将所述固态二硫化钼纳米片状材料分散于水中，加入烷基糖苷进行一次接枝；

(3)向步骤(2)的混合物中加入吉米奇季铵盐表面活性剂，进行二次接枝；

(4)向步骤(3)得到的混合物中加入甜菜碱，进行三次接枝，接枝后冷却至室温，洗涤，透析，得到改性MoS₂纳米片。

2.根据权利要求1所述调驱体系，其特征在于，在改性MoS₂纳米花的制备方法中，步骤(1)中所述MoS₂和NH₄SCN的摩尔比为1：4；所述高压为10～12MPa。

3.根据权利要求1所述调驱体系，其特征在于，在改性MoS₂纳米花的制备方法中，步骤(2)中所述烷基糖苷的聚合度为1，碳氢链长度为12，加入量为3mmol/L；

反应温度为150～180℃，反应时间为12h。

4.根据权利要求1所述调驱体系，其特征在于，在改性MoS₂纳米花的制备方法中，步骤(3)中所述吉米奇季铵盐表面活性剂的加入量为2mmol/L；

反应温度为200℃，反应时间为24h。

5.根据权利要求1所述调驱体系，其特征在于，在改性MoS₂纳米花的制备方法中，步骤(4)中甜菜碱的加入量为1mmol/L，反应温度升温至300℃，反应时间为24h。

6.根据权利要求1所述调驱体系，其特征在于，在改性MoS₂纳米片的制备方法中，步骤(1)中七钼酸六铵在所述二硫化钼分散液中质量浓度为0.2wt％～0.6wt％，硫脲在所述二硫化钼分散液中的质量浓度为0.2wt％～3wt％，其中七钼酸六铵和硫脲的质量比为(1：1)～(1：5)；所述高压为10～12MPa。

7.根据权利要求1所述调驱体系，其特征在于，在改性MoS₂纳米片的制备方法中，步骤(2)中所述烷基糖苷的聚合度为1，碳氢链长度为12，加入量为3mmol/L，反应温度为150～180℃，反应时间为12h；

步骤(3)中所述吉米奇季铵盐表面活性剂的加入量为2mmol/L，反应温度升温至200℃，反应时间为24h；

步骤(4)中甜菜碱的加入量为1mmol/L，反应温度升温至300℃，反应时间为24h。

8.根据权利要求1～7任一项所述调驱体系在低渗透油藏和高温高矿化度非均质油藏开发中的应用。