[发明专利]一种硫化铅胶体量子点、量子点薄膜和器件的制备方法

权利要求书

1.一种钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S11、合成并洗涤PbS CQDs，制备交换前的PbS CQDs溶液；

步骤S12、制备DMF配体溶液；

步骤S13、将步骤S11制备的交换前的PbS CQDs溶液以10mg/ml的浓度溶解在正辛烷中，并以1:1的体积比加入到步骤S12制备的DMF配体溶液中，制备混合溶液；

步骤S14、充分振荡步骤S13制备的混合溶液，使得PbS CQDs完全转移到DMF相，制备DMF溶液；

步骤S15、用正辛烷洗涤DMF溶液两次，制备配体交换后的PbS CQDs溶液；

步骤S16、从配体交换后的PbS CQDs溶液中分离出CQDs固体并进行真空干燥过程。

2.如权利要求1所述的钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点的制备方法，其特征在于，所述步骤S12中制备DMF配体溶液，具体为：将碘化铅、溴化铅和碘化铯溶解在N,N-二甲基甲酰胺中制备DMF配体溶液。

3.如权利要求2所述的钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点的制备方法，其特征在于，所述碘化铅的浓度为0.266M，所述溴化铅的浓度为0.026M，所述碘化铯的浓度为0.013M。

4.一种钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、制备钝化(100)面的大尺寸PbS CQDs；

步骤S21、将碘化铯溶解在DMF配体溶液中，获得混合溶剂；

步骤S22、将步骤S1制备的交换后的CQDs分散在体积比为4:1的N-丁胺和步骤S21制备的混合溶剂中，制备混合油墨；

步骤S23、混合油墨通过旋转涂层沉积，直至获得最佳厚度；

步骤S24、退火去除溶剂残留物。

5.如权利要求4所述的钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S22中交换后的CQDs在分散后的浓度为320mg/mL。

6.如权利要求4所述的钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S23中旋涂参数为2500转/分，旋涂时间为40秒。

7.一种钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、制备钝化(100)面的大尺寸PbS CQDs；

步骤S2、基于步骤S1制备的PbS CQDs，制备PbS CQDs油墨；

步骤S31、清洗玻璃上的掺杂铟的氧化锡；

步骤S32、在经过步骤S31清洗后的玻璃上，采用溅射工艺制备氧化锌层；

步骤S33、将步骤S2中制备的PbS CQDs油墨旋涂在步骤S32中制备的氧化锌层上；

步骤S34、将经EDT配体处理后的两层CQDs自旋涂覆在氧化锌层的顶部作为空穴提取层；

步骤S35、将80nm厚度的Au层热蒸发，并用遮光膜作为上电极进行图案处理。

8.如权利要求7所述的钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S31中清洗玻璃上的掺杂铟的氧化锡，具体为：依次在去离子水、丙酮、异丙醇和乙醇中使用超声浴清洗玻璃上的掺杂铟的氧化锡。

9.如权利要求7所述的钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S32中溅射工艺为：室温下，溅射功率为200W，溅射时间为30min，溅射气体为氧气和氩气的混合气体。

10.如权利要求7所述的钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S34中：EDT配体为0.01％的EDT-乙腈溶液；两层CQDs的第一激发峰在880nm处。