[发明专利]提高闪存数据可靠性的方法、装置、存储介质及存储设备有效

专利信息
申请号: 202210573797.9 申请日: 2022-05-25
公开(公告)号: CN114995750B 公开(公告)日: 2022-11-18
发明(设计)人: 刘刚;刘晓健;王嵩 申请(专利权)人: 北京得瑞领新科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 代理人: 李丽颖
地址: 100192 北京市海淀区西小口路66号*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 提高 闪存 数据 可靠性 方法 装置 存储 介质 设备
【权利要求书】:

1.一种提高闪存数据可靠性的方法,其特征在于,所述方法包括:

对待写入数据的目标存储单元进行擦除操作;

在对擦除后的目标存储单元进行数据写入时,若当前待写入的存储态为最低态,则采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程,所述优化编写验证电压低于擦除操作对应的擦除验证电压。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程之前,所述方法还包括:

获取与目标存储单元相邻的存储单元的存储态;

当与目标存储单元相邻的存储单元的存储态高于预设的存储态阈值时,采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

预先配置存储态列表,所述存储态列表用于记录最新完成数据写入的存储单元的存储态。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述获取与目标存储单元相邻的存储单元的存储态,包括:

查找所述存储态列表以获取与目标存储单元相邻的存储单元的存储态。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

在完成目标存储单元的数据写入后更新存储态列表,以将目标存储单元的存储态记录到存储态列表。

6.一种提高闪存数据可靠性的装置,其特征在于,所述装置包括:

擦除模块,用于对待写入数据的目标存储单元进行擦除操作;

编程模块,用于在对擦除后的目标存储单元进行数据写入时,若当前待写入的存储态为最低态,则采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程,所述优化编写验证电压低于擦除操作对应的擦除验证电压。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述编程模块,还用于在采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程之前,获取与目标存储单元相邻的存储单元的存储态,当与目标存储单元相邻的存储单元的存储态高于预设的存储态阈值时,执行采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程的操作。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:

配置模块,用于预先配置存储态列表,所述存储态列表用于记录最新完成数据写入的存储单元的存储态;

进一步地,所述编程模块,用于查找所述存储态列表以获取与目标存储单元相邻的存储单元的存储态。

9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-5任一项所述方法的步骤。

10.一种存储设备,其特征在于,包括存储控制器,所述存储控制器包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-5任一项所述方法的步骤。

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