[发明专利]一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置

权利要求书

1.一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述装置包括：坩埚、坩埚盖以及多个阻隔盘；

所述坩埚用于盛放预设厚度的碳化硅原料，所述坩埚盖上固定有籽晶，且在所述坩埚盖和所述坩埚盖合后，所述籽晶位于所述坩埚内部；

多个所述阻隔盘位于所述碳化硅原料的表面和内部，且在第一方向上依次间隔设置；所述阻隔盘包括中心区域和包围所述中心区域的边缘区域，多个所述阻隔盘包括第一阻隔盘和第二阻隔盘，所述第一阻隔盘的中心区域设置有通孔，所述第二阻隔盘的边缘区域设置有通孔；

其中，所述第一方向垂直于所述坩埚的底部，且由所述底部指向所述坩埚盖。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述阻隔盘的表面附着有金属化合物。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述第一方向上当两个所述第一阻隔盘相邻设置时，远离所述底部的第一阻隔盘的边缘区域的宽度为D1，临近所述底部的第一阻隔盘的边缘区域的宽度为D2；

其中，D1＞D2。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述第一方向上当第一阻隔盘和第二阻隔盘相邻设置时，所述第一阻隔盘的边缘区域在所述底部上的正投影与所述第二阻隔盘的中心区域在所述底部上的正投影有交叠。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述第一方向上，任意两个相邻的阻隔盘中，远离所述底部的阻隔盘上通孔的孔径为R1，临近所述底部的阻隔盘上通孔的孔径为R2；

其中，R1＜R2。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，位于所述碳化硅原料表面上的阻隔盘为第一阻隔盘。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，位于所述碳化硅原料表面上的第一阻隔盘的中心区域在所述底部上的正投影与所述籽晶在所述底部上的正投影重合。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，多个所述阻隔盘包括：三个第一阻隔盘和一个第二阻隔盘；

第一个第一阻隔盘、第二个第一阻隔盘、第二阻隔盘和第三个第一阻隔盘在所述第一方向上依次间隔设置，且所述第三个第一阻隔盘位于所述碳化硅原料的表面。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，多个所述阻隔盘包括：两个第一阻隔盘和一个第二阻隔盘；

第一个第一阻隔盘、第二阻隔盘和第二个第一阻隔盘在所述第一方向上依次间隔设置，且所述第二个第一阻隔盘位于所述碳化硅原料的表面。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，多个所述阻隔盘包括：三个第一阻隔盘和一个第二阻隔盘；

第一个第一阻隔盘、第二阻隔盘、第二个第一阻隔盘和第三个第一阻隔盘在所述第一方向上依次间隔设置，且所述第三个第一阻隔盘位于所述碳化硅原料的表面。