[发明专利]一种采用有机溶剂通过低温电沉积制备硅薄膜的方法在审
| 申请号： | 202210574195.5 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115537882A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 冯锐;冯敏;李蓉 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C25D1/00 | 分类号： | C25D1/00;C25D1/04;C25D9/04;C25D11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255086 山东省淄*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 有机溶剂 通过 低温 沉积 制备 薄膜 方法 | ||
1.一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)将有机溶剂干燥，并放至充满氩气的手套箱中；
b)将有机溶剂在手套箱中与支持电解质和硅盐搅拌混合均匀，得到电解液；
c)将电极打磨抛光，去除电极表面的氧化层后放入真空干燥器中进行干燥；
d)将电解液放入电解池中，进行电沉积，电沉积完成后将电极拿出清洗。
2.根据权利要求1所述的一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于：所述有机溶剂为碳酸丙烯酯，所述支持电解质为四丁基氯化铵，所述硅盐为四氯化硅。
3.根据权利要求1所述的一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于：步骤a)中，所述干燥的温度为45℃，所述干燥的时间为24h。
4.根据权利要求1所述的一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于：步骤c)中，所述电极采用三电极体系，其中铜板(99 .99％)为工作电极，铂丝 (99 .99％)为对电极，铂丝(99.99％)为准参比电极。
5.根据权利要求1所述的一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于：所述电极处理具体为：打磨抛光使用600#、1000#、1500#、2000#、3000#的石英砂纸表面打磨光滑，接着用金刚石抛光剂抛光，然后用去离子水冲洗去掉表面异物，用除油液对铜箔进行电解除油，去离子水清洗后，采用浓度为15%的H2SO4溶液进行活化，再分别用去离子水和无水乙醇清洗，在真空干燥器中进行干燥。
6.根据权利要求1所述的一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于：步骤d)中，所述电沉积的实验条件为：SiCl4浓度为0.1-1.0mol/L，TBAC浓度为0.05-0.2mol/L，温度为10-90℃，电压为-1.74V。
7.根据权利要求1所述的一种电沉积硅薄膜的方法，其特征在于：步骤d)中，所述清洗用的清洗液为丙酮溶液。
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