[发明专利]一种体波滤波器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210577441.2 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN114826200A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 董波;胡昱轩 | 申请（专利权）人： | 深圳技术大学 |
| 主分类号： | H03H9/56 | 分类号： | H03H9/56;H03H9/58;H03H3/02 |
| 代理公司： | 深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙) 44503 | 代理人： | 杨勇 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 滤波器 及其 制备 方法 | ||
1.一种体波滤波器，其特征在于，依次包括：基底层、聚合物空腔层、支撑膜、底电极、压电膜层和上电极，其中，聚合物空腔层中空气腔上部与支撑膜接触的边界厚度为1～3um。
2.根据权利要求所述的体波滤波器，其特征在于，空气腔的长度和宽度均为200～300um。
3.根据权利要求所述的体波滤波器，其特征在于，聚合物空腔层为通过双光子聚合3D打印工艺制备。
4.一种体波滤波器的制备方法，其特征在于，包括：
利用双光子聚合3D打印工艺在基底层上打印聚合物空腔层，在聚合物空腔层上镀支撑膜，其中，聚合物空腔层中空气腔上部与支撑膜接触的边界厚度为1～3um；
利用预先设计的相位掩膜版在支撑膜上镀底电极，除去相位掩膜版后在器件表面镀压电膜层；
在压电膜层表面镀上电极后形成体波滤波器。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，基底层为Si或SiO2，厚度为200～500um。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，空气腔的长度和宽度均为200～300um。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，支撑膜为Si3N4或SiO2，厚度为1～3um。
8.根据权利要求所述的制备方法，其特征在于，压电薄膜层为AlN、ZnO、铌酸锂、钽酸锂或AlN、ZnO、铌酸锂和钽酸锂的复合材料，厚度为1～3um。
9.根据权利要求所述的制备方法，其特征在于，底电极的长度和宽度为300um～600um，厚度为100nm-200nm。
10.根据权利要求所述的制备方法，其特征在于，上电极和底电极为Al、Pt、Mo、Au或Al、Pt、Mo和Au的复合材料，上电极的长和宽为300～800um，厚度为100nm-200nm。
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