[发明专利]氧化铪铁电相单晶及其制备方法在审
| 申请号： | 202210577546.8 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN114959896A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 周益春;阳江衡;廖敏;廖佳佳;曾斌建 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B28/02;C30B13/22 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 张鑫垚 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 铪铁电相单晶 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧化铪铁电相单晶的制备方法，其特征在于，包括：
获取两根氧化铪多晶料棒；
将两根所述氧化铪多晶料棒共线设置，且两根所述氧化铪多晶料棒之间留有预设距离的缝隙；
将所述缝隙置于激光加热区进行铁电单晶的生长得到氧化铪铁电相单晶。
2.根据权利要求1所述的氧化铪铁电相单晶的制备方法，其特征在于，所述获取两根氧化铪多晶料棒，包括：
将氧化铪原料粉末进行加热干燥，得到干燥粉末；
将所述干燥粉末进行研磨和烧结，得到氧化铪粉末；
将所述氧化铪粉末进行压制定型烧结，得到氧化铪多晶料棒。
3.根据权利要求2所述的氧化铪铁电相单晶的制备方法，其特征在于，所述氧化铪原料粉末为二氧化铪粉末或掺杂的二氧化铪粉末。
4.根据权利要求3所述的氧化铪铁电相单晶的制备方法，其特征在于，所述掺杂的二氧化铪粉末的掺杂元素为硅、铝、锆、镧、铈、钇中的一种或多种的组合。
5.根据权利要求1所述的氧化铪铁电相单晶的制备方法，其特征在于，所述预设距离为1-1.5mm。
6.根据权利要求1所述的氧化铪铁电相单晶的制备方法，其特征在于，所述激光加热区的升温速率在30-60℃/min之间。
7.根据权利要求1所述的氧化铪铁电相单晶的制备方法，其特征在于，所述将所述缝隙置于激光加热区进行铁电单晶的生长得到氧化铪铁电相单晶包括：
将所述缝隙置于激光加热区并以相反转动的两根所述氧化铪多晶料棒；
当两根所述氧化铪多晶料棒靠近的两端处于熔融状态时，将两根所述氧化铪多晶料棒对接；
通入氧气以使晶体在氧气氛围中生长得到氧化铪铁电相单晶。
8.根据权利要求7所述的氧化铪铁电相单晶的制备方法，其特征在于，所述相反转动的转动速率为20-25r/min。
9.根据权利要求1所述的氧化铪铁电相单晶的制备方法，其特征在于，在所述将所述缝隙置于激光加热区进行铁电单晶的生长得到氧化铪铁电相单晶之后，所述氧化铪铁电相单晶的制备方法还包括：
持续通入氧气，降温1-2小时。
10.一种氧化铪铁电相单晶，其特征在于，利用权利要求1-9任一项所述的氧化铪铁电相单晶的制备方法制备而成。
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