[发明专利]ANPC三电平逆变拓扑电路、控制方法及控制装置有效
申请号: | 202210578273.9 | 申请日: | 2022-05-26 |
公开(公告)号: | CN114665735B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 陈建明;叶智;肖培谦;吴龙生;卢钢 | 申请(专利权)人: | 浙江日风电气股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/487 | 分类号: | H02M7/487;H02M7/537 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘珂 |
地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | anpc 电平 拓扑 电路 控制 方法 装置 | ||
1.一种ANPC三电平逆变拓扑电路,其特征在于,包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、开关单元、第一开关管和第二开关管;
所述第一二极管的阴极与母线正极连接,所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阴极连接,所述第二二极管的阳极与所述第三二极管的阴极连接,所述第三二极管的阳极与所述第四二极管的阴极、所述第六二极管的阳极连接;所述第四二极管的阳极与母线负极连接,所述第五二极管的阳极、所述第六二极管的阴极均与母线中点连接;所述第五二极管的阴极与所述第二二极管的阴极、所述第一二极管的阳极连接;
所述第二二极管的阴极与所述第一开关管的集电极连接,所述第二二极管的阳极与所述第一开关管的发射极连接,所述第三二极管的阴极与所述第二开关管的集电极连接,所述第三二极管的阳极与所述第二开关管的发射极连接;所述第一开关管的发射极与所述第二开关管的集电极连接;
所述第一二极管、所述第四二极管、所述第五二极管和所述第六二极管均为SIC二极管,且各自均并联一个所述开关单元,其中所述开关单元包括第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接,用于在所述第一二极管、所述第四二极管、所述第五二极管和所述第六二极管开关控制内,所述第一MOS管相较于所述第二MOS管先开通,后关断。
2.根据权利要求1所述的ANPC三电平逆变拓扑电路,其特征在于,所述第一开关管和所述第二开关管均为IGBT开关管。
3.根据权利要求2所述的ANPC三电平逆变拓扑电路,其特征在于,还包括第一电容、第二电容和第一电感;
所述第一电容的第一端与所述第一二极管的阴极连接,所述第一电容的第二端、所述第五二极管的阳极、所述第六二极管的阴极与所述第二电容的第一端连接,所述第二电容的第二端与所述第四二极管的阳极连接,所述第一电感的第一端、所述第二二极管的阳极与所述第三二极管的阴极连接。
4.一种ANPC三电平逆变拓扑电路的控制方法,其特征在于,应用于权利要求1所述的ANPC三电平逆变拓扑电路,包括:
获取所述ANPC三电平逆变拓扑电路的当前运行模式;
当所述当前运行模式为有功功率模式时,则在第一时刻关断不提供续流回路对应的二极管的第二MOS管,在第二时刻关断不提供所述续流回路对应的二极管的第一MOS管,在第三时刻开通提供所述续流回路对应的二极管的第一MOS管,在第四时刻开通提供所述续流回路对应的二极管的第二MOS管;
当所述当前运行模式为无功功率模式时,则在第一时刻关断提供所述续流回路对应的二极管的第二MOS管,在第二时刻关断提供所述续流回路对应的二极管的第一MOS管,在第三时刻开通不提供所述续流回路对应的二极管的第一MOS管,在第四时刻开通不提供所述续流回路对应的二极管的第二MOS管。
5.根据权利要求4所述的ANPC三电平逆变拓扑电路的控制方法,其特征在于,所述当所述当前运行模式为有功功率模式时,则在第一时刻关断不提供续流回路对应的二极管的第二MOS管,在第二时刻关断不提供所述续流回路对应的二极管的第一MOS管,在第三时刻开通提供所述续流回路对应的二极管的第一MOS管,在第四时刻开通提供所述续流回路对应的二极管的第二MOS管,包括:
当所述当前运行模式为所述有功功率模式的正半周时,在所述第一时刻关断第一二极管对应的第二MOS管,所述第二时刻关断所述第一二极管对应的第一MOS管,所述第三时刻开通第五二极管对应的第一MOS管,所述第四时刻开通所述第五二极管对应的第二MOS管;
当所述当前运行模式为所述有功功率模式的负半周时,在所述第一时刻关断第四二极管对应的第二MOS管,所述第二时刻关断所述第四二极管对应的第一MOS管,所述第三时刻开通第六二极管对应的第一MOS管,所述第四时刻开通所述第六二极管对应的第二MOS管。
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