[发明专利]一种TOPCon钝化结构及其制备方法

权利要求书

1.一种TOPCon钝化结构的制备方法，其特征在于，所述TOPCon钝化结构的制备方法包括以下步骤：

（1）炉管内杂质抽空；

（2）本征多晶硅淀积：保持恒温，在遂穿氧化层外进行本征多晶硅层淀积，作为氧化层外第一层膜，淀积时间设定为120-600s，硅烷流量设定为500-4000sccm，功率设定为3000-20000w，炉管压力为100-1000pa，生长速度为1-20nm/min，第一层膜厚度为10-40nm；

（3）抽空：将炉管中多余的硅烷抽出，炉管压力为5-50pa；

（4）原位掺杂多晶硅层淀积：温度恒温，在本征多晶硅膜层外进行掺杂多晶硅层淀积作为氧化层外第二层膜，时间为80-120mins，硅烷流量为1000-4000sccm，磷烷流量为500-1500sccm，惰性气体流量为5500-6500sccm，功率为3000-20000w，炉管压力为150-1200pa，生长速度为1-3nm/min，厚度为120-240nm，磷浓度为3e19cm^-3-2e22cm^-3；结合第一层膜以及第二层膜大幅缩小总体膜层生长所需时间；此时，第二层膜厚度大于第一层膜；

（5）充惰性气体出舟：将炉管通入大量惰性气体，恢复炉管的常压状态，以便后续的开炉门取晶硅片。

2.根据权利要求1所述的TOPCon钝化结构的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）炉管内杂质抽空，包括以下步骤：

1）吹扫：遂穿层完成后，将炉管内的残余硅烷通过通入氮气去除干净，时间设定为100-200s，温度设定为500-630℃，氮气流量范围为800-1000sccm，炉管压力设定为30-100pa；

2） 抽空及检漏：将吹扫步骤中的剩余氮气抽出，时间设定为100-200s，温度设定为500-630℃；剩余氮气抽出后，查看炉管是否有裂纹和密封不好的情况出现，导致真空压力出现回升波动，时间设定20-40秒，温度保持不变，关闭所有气体通入，炉管压力范围为5-30pa；

3）真空稳定：等待炉管内抽到设定真空压力，时间、温度、压力与步骤2）保持一致。

3.根据权利要求2所述的TOPCon钝化结构的制备方法，其特征在于，所述步骤1）中时间设定为160s，温度设定为620℃，氮气流量范围为1000sccm，炉管压力设定为60pa；步骤2）中时间设定为160s，温度设定为620℃；查看炉管是否有裂纹和密封时，设定为30s，炉管压力为10pa。

4.根据权利要求1所述的TOPCon钝化结构的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中淀积时间设定为180s，硅烷流量设定为2000sccm，功率设定为9500w，炉管压力为800pa，生长速度为10nm/min，第一层膜厚度为30nm。

5.根据权利要求1所述的TOPCon钝化结构的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中淀积时间设定为600s，硅烷流量设定为500sccm，功率设定为3000w，炉管压力为110pa，生长速度为1nm/min，第一层膜厚度为10nm。

6.根据权利要求1所述的TOPCon钝化结构的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中炉管压力为35pa。

7.根据权利要求1所述的TOPCon钝化结构的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中时间为100mins，硅烷流量为2000sccm，磷烷流量为700sccm，惰性气体流量为6300sccm，功率为9500w，炉管压力为220pa，生长速度为1.5nm/min，厚度为150nm，磷浓度为4e20cm^-3。

8.根据权利要求1所述的TOPCon钝化结构的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中时间为120mins，硅烷流量为1000sccm，磷烷流量为1500sccm，惰性气体流量为5500sccm，功率为3000w，炉管压力为150pa，生长速度为1nm/min，厚度为120nm，磷浓度为3e19cm^-3。