[发明专利]一种P型硅背接触电池和制备方法

说明书

本发明实施例提供了一种P型硅背接触电池和制备方法，属于硅片电池制备技术领域，电池包括：Si衬底，所述Si衬底具体为P型Si衬底；所述Si衬底的反面间隔设置有若干段磷扩散层，且相邻段的磷扩散层之间留设有一空白区；第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层设置有若干段，若干段第一掺杂硅层逐一设置在若干段的磷扩散层上；且所述第一掺杂硅层上方的磷扩散层和Si衬底形成一PN结；第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层设置有若干段，若干段第二掺杂硅层设置在若干个空白区内；以及电极，所述电极设置有若干个，且若干个电极分别电性连接在第一掺杂硅层和第二掺杂硅层上；达到提高P型背接触电池转换效率的技术效果。

技术领域

本发明涉及硅片电池制备技术领域，尤其涉及一种P型硅背接触电池和制备方法。

背景技术

太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。基于电极的分布方式，分为双面电极和反面电极；其中反面电极的电池又称为背接触电池；而具体背接触电池基于衬底的类型分为P型硅背接触电池和N型硅背接触电池。

目前，P型硅背接触电池的转换效率低于N型硅背接触电池的转换效率，但P型硅片价格低于N型硅片，且制备P型硅背接触电池设备相当成熟，若能提高P型硅背接触电池的转换效率，在未来一段时间内，制备P型硅背接触电池的优势仍大于制备N型硅背接触电池。

所以，现有的技术问题在于：如何提高P型硅背接触电池的转换效率。

发明内容

本申请实施例提供一种P型硅背接触电池和制备方法，解决了现有技术中如何提高P型硅背接触电池的转换效率的技术问题；达到提高P型背接触电池转换效率的技术效果。

本申请实施例提供一种P型硅背接触电池，所述电池包括：Si衬底，所述Si衬底具体为P型Si衬底；所述Si衬底的反面间隔设置有若干段磷扩散层，且相邻段的磷扩散层之间留设有一空白区；第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层设置有若干段，若干段第一掺杂硅层逐一设置在若干段的磷扩散层上；且所述第一掺杂硅层上方的磷扩散层和Si衬底形成一PN结；第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层设置有若干段，若干段第二掺杂硅层设置在若干个空白区内；以及电极，所述电极设置有若干个，且若干个电极分别电性连接在第一掺杂硅层和第二掺杂硅层上。

作为优先，所述第二掺杂硅层的外围环绕设置有一第二钝化层，所述第二钝化层的外侧面贴合接触在Si衬底、第一掺杂硅层上，通过第二钝化层使得第二掺杂硅层与Si衬底、第一掺杂硅层分隔。

作为优先，所述磷扩散层和第一掺杂硅层之间设置有第一钝化层，所述第一钝化层的两端分别和相邻两段第二掺杂硅层外的第二钝化层接触，以包覆第一掺杂硅层。

作为优先，每段所述磷扩散层的宽度大于空白区的宽度，且第一掺杂硅层的宽度大于第二掺杂硅层的宽度。

一种P型硅背接触电池的制备方法，所述制备方法包括：对Si衬底进行基材处理；所述对Si衬底进行基材处理具体包括：Si衬底清洗、制绒；在Si衬底的反面进行磷扩散，形成磷扩散层；在Si衬底的正反两面生成第一钝化层；在反面的第一钝化层上生成第一掺杂硅层；在反面的第二钝化层上生成第二掺杂硅层；在正面的第二钝化层外生成减反射层；在反面的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层上形成电极；其中，在形成磷扩散层后依次生成第一钝化层和第一掺杂硅层，并针对性的间隔的去除第一掺杂硅层以形成若干个空白区，且进一步依次去除空白区对应的第一钝化层和磷扩散层，并在空白区内依次生成第二钝化层和第二掺杂硅层。

作为优先，生成第一掺杂硅层或第二掺杂硅层的具体方法为：in-situ掺杂硅沉积的方法；或者，先沉积本征硅，然后掺杂源扩散或离子注入的方法。