[发明专利]一种带有终止结构的氮化镓功率半导体

权利要求书

1.一种带有终止结构的氮化镓功率半导体，其特征在于，包括支架(3)、功率半导体主体(6)、衬板(16)和截止环(18)，所述支架(3)的顶端设置有功率半导体主体(6)，且所述功率半导体主体(6)内部的底端设置有衬板(16)，所述功率半导体主体(6)内部的中央位置处设置有漂移区(15)，且所述漂移区(15)的顶侧设置有介质层(12)，所述介质层(12)与漂移区(15)之间的一端设置有主结(10)，且所述介质层(12)与漂移区(15)之间的中央位置处均匀分布有分压环(11)，所述介质层(12)与漂移区(15)之间的另一端设置有截止环(18)，且所述介质层(12)的顶侧设置有钝化层(14)，所述钝化层(14)与介质层(12)之间设置有金属层(13)，所述支架(3)顶部的两端分别设置有第一引脚(4)和第二引脚(7)，所述功率半导体主体(6)上均匀通过导线(5)与第一引脚(4)和第二引脚(7)连接，所述支架(3)的底端设置有散热板(2)，且所述散热板(2)的上方注塑有塑封体(8)。

2.根据权利要求1所述的一种带有终止结构的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述塑封体(8)为环氧树脂，所述第一引脚(4)和第二引脚(7)均延伸至塑封体(8)外。

3.根据权利要求1所述的一种带有终止结构的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述散热板(2)为石墨板，且所述散热板(2)的底部均匀开设有导热槽(201)。

4.根据权利要求1所述的一种带有终止结构的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述支架(3)底部的两侧均设置有水平部(9)，且所述水平部(9)的底部均通过绝缘粘合剂与散热板(2)连接。

5.根据权利要求1所述的一种带有终止结构的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述塑封体(8)底部的四个拐角处均设置有支脚(1)，且所述支脚(1)的内部均通过刚性弹簧(22)设置有受压件(20)，所述受压件(20)的顶端均与塑封体(8)的底部固定连接。

6.根据权利要求1所述的一种带有终止结构的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述漂移区(15)与截止环(18)之间刻蚀以形成凹部(17)，所述钝化层(14)伸入该凹部(17)内。

7.根据权利要求1所述的一种带有终止结构的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述衬板(16)侧壁的内部设置有加强层(25)，且所述加强层(25)的内部等间距分布有加强筋(26)。

8.根据权利要求5所述的一种带有终止结构的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述受压件(20)底部的两端均设置有限位块(19)，所述支脚(1)内部的两侧均设置有与限位块(19)相匹配的限位槽(21)。

9.根据权利要求7所述的一种带有终止结构的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述加强层(25)两侧的衬板(16)内均设置有抗压层(23)，且所述抗压层(23)的内部均匀设置有缓冲件(24)，所述缓冲件(24)的截面均呈弧形结构。