[发明专利]显示装置、显示装置的制造方法、显示模块及电子设备在审
申请号: | 202210585386.1 | 申请日: | 2022-05-26 |
公开(公告)号: | CN115411069A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 木村肇;林健太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 显示 模块 电子设备 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一发光层;
光电转换层;
所述第一发光层上的第一电极;以及
所述光电转换层上的第二电极,
其中,所述第二电极的可见光透过率比所述第一电极的可见光透过率高。
2.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述第一电极为半透射-半反射电极,
并且所述第二电极为透明电极。
3.根据权利要求1所述的显示装置,还包括所述第一发光层下的光学调整层。
4.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述光电转换层具有不被所述第一电极重叠的区域。
5.根据权利要求4所述的显示装置,
其中所述光电转换层不具有被所述第一电极重叠的区域。
6.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述第二电极具有与所述第一发光层重叠的区域,
并且所述第二电极具有与所述第一电极接触的区域。
7.根据权利要求1所述的显示装置,还包括所述第一发光层与所述光电转换层之间的树脂层。
8.根据权利要求7所述的显示装置,还包括所述第一发光层与所述树脂层之间及所述光电转换层与所述树脂层之间的绝缘层。
9.根据权利要求1所述的显示装置,还包括第二发光层,
其中所述第一电极位于所述第二发光层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置,还包括所述第一发光层与所述第一电极之间以及所述第二发光层与所述第一电极之间的有机层,
其中所述有机层包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
11.根据权利要求10所述的显示装置,
其中所述有机层位于所述光电转换层与所述第二电极之间。
12.根据权利要求1所述的显示装置,还包括所述第一电极及所述第二电极上的保护层。
13.一种显示模块,包括:
权利要求1所述的显示装置;以及
连接器和集成电路中的至少一个。
14.一种电子设备,包括:
权利要求13所述的显示模块;以及
电池、照相机、扬声器和麦克风中的至少一个。
15.一种显示装置的制造方法,包括:
形成发光层;
形成光电转换层;
形成所述发光层上的第一电极;以及
在所述光电转换层上形成第二电极,该第二电极的可见光透过率比所述第一电极高。
16.一种显示装置的制造方法,包括:
在绝缘表面上依次形成发光膜及第一牺牲膜;
通过加工所述第一牺牲膜及所述发光膜,形成第一牺牲层及所述第一牺牲层下的发光层;
在所述第一牺牲层及所述绝缘表面上形成光电转换膜及第二牺牲膜;
通过加工所述第二牺牲膜及所述光电转换膜,形成第二牺牲层及所述第二牺牲层下的光电转换层;
去除所述第一牺牲层及所述第二牺牲层;
形成所述发光层上的第一电极;以及
在所述光电转换层上形成第二电极,该第二电极的可见光透过率比所述第一电极高。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的