[发明专利]一种保护low-k介质的有源芯片硅通孔制作方法在审
| 申请号： | 202210585490.0 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN115000005A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 戴风伟;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 保护 low 介质 有源 芯片 硅通孔 制作方法 | ||
1.一种保护low-k介质的有源芯片硅通孔制作方法，包括：
提供有源芯片，其中所述有源芯片包括衬底、金属互连层以及位于衬底与金属互连层之间的有源层，且所述有源层和金属互连层均具有通孔区，所述金属互连层包括多层介质层、位于多层介质层之间的low-k介质以及位于介质层和low-k介质中的金属布线；
通过刻蚀介质层和low-k介质形成第一通孔；
在介质层的上表面以及第一通孔的内壁制作保护层；
在介质层的上方以及第一通孔内布置光刻胶，并通过光刻去除第一通孔中的部分光刻胶形成孔图形，然后刻蚀孔图形底部暴露出的保护层；
刻蚀位于孔图形之下的有源层中的通孔区和衬底形成硅通孔；以及
去除光刻胶，并清洗硅通孔。
2.根据权利要求1所述的保护low-k介质的有源芯片硅通孔制作方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相沉积法在介质层的上表面以及第一通孔的内壁制作保护层。
3.根据权利要求1所述的保护low-k介质的有源芯片硅通孔制作方法，其特征在于，所述保护层的材料为无机材料。
4.根据权利要求1所述的保护low-k介质的有源芯片硅通孔制作方法，其特征在于，所述孔图形的尺寸小于所述第一通孔的尺寸。
5.根据权利要求1所述的保护low-k介质的有源芯片硅通孔制作方法，其特征在于，通过博世工艺刻蚀位于所述孔图形之下的所述有源层中的通孔区和所述衬底形成硅通孔。
6.根据权利要求1所述的保护low-k介质的有源芯片硅通孔制作方法，其特征在于，所述硅通孔的尺寸小于所述第一通孔的尺寸。
7.根据权利要求1所述的保护low-k介质的有源芯片硅通孔制作方法，其特征在于，所述保护层的材料为二氧化硅、氮化硅和/或氧化铝。
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