[发明专利]隔离器在审

专利信息
申请号: 202210586280.3 申请日: 2020-08-11
公开(公告)号: CN114976544A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 石黑阳;根贺亮平;藤庆彦 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01P1/375 分类号: H01P1/375
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘英华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 隔离器
【权利要求书】:

1.一种隔离器,具备:

第一电极;

第一绝缘部,设置于所述第一电极之上;

第二电极,设置于所述第一绝缘部之上;

第二绝缘部,包围所述第二电极而设置,沿着与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向垂直的第一面而设置,与所述第二电极接触;

第一电介质部,设置于所述第二电极之上及所述第二绝缘部之上;以及

第二电介质部,设置于所述第一绝缘部与所述第二绝缘部之间,

所述第二电极具有:与所述第一绝缘部相对置的底面、与所述第一电介质部相对置的上表面、以及与所述上表面及所述底面连接的侧面,

所述第二电介质部与所述第二电极接触,包含第一电介质层及第二电介质层,所述第一电介质层与所述第一绝缘部接触,所述第二电介质层设置于所述第一电介质层与所述第二绝缘部之间,所述第一电介质层具有比所述第二电介质层的相对介电常数、所述第一绝缘部的相对介电常数、以及所述第二绝缘部的相对介电常数高的相对介电常数。

2.根据权利要求1所述的隔离器,其中,

所述第二电介质部还在所述第二电介质层与所述第二绝缘部之间具有第三电介质层,

所述第三电介质层具有比所述第二电介质层的相对介电常数高的相对介电常数。

3.根据权利要求2所述的隔离器,其中,

所述第一电介质层设置于所述第一绝缘部与所述第二电极之间。

4.根据权利要求3所述的隔离器,其中,

所述第三电介质层设置于所述第二电极与所述第一绝缘部之间,并与所述第二电极的所述底面及所述第一电介质层接触。

5.根据权利要求2所述的隔离器,其中,

所述第二电极的所述底面与所述第一绝缘部接触。

6.根据权利要求5所述的隔离器,其中,

第二电介质层与所述第二电极的所述侧面接触。

7.根据权利要求1所述的隔离器,其中,

所述第一电介质层设置于所述第一绝缘部与所述第二电极之间。

8.根据权利要求1所述的隔离器,其中,

所述第二电极的所述底面与所述第一绝缘部接触。

9.根据权利要求8所述的隔离器,其中,

所述第一电介质层及所述第二电介质层与所述第二电极的所述侧面接触。

10.根据权利要求8所述的隔离器,其中,

所述第一电介质层的底面与所述第二电极的底面在所述第一绝缘部的上表面之上接触,并配置于与所述第一面平行的面之上。

11.根据权利要求1所述的隔离器,其中,

在沿着所述第一面的第二方向上,所述上表面与所述底面相比,宽度宽。

12.一种隔离器,具备:

第一电极;

第一绝缘部,设置于所述第一电极之上;

第二电极,设置于所述第一绝缘部之上;

第二绝缘部,包围所述第二电极而设置,沿着与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向垂直的第一面而设置,与所述第二电极接触;

第一电介质部,设置于所述第二电极之上及所述第二绝缘部之上;以及

第二电介质部,设置于所述第一绝缘部与所述第二绝缘部之间,

所述第二电极具有:与所述第一绝缘部相对置的底面、与所述第一电介质部相对置的上表面、以及与所述上表面及所述底面连接的侧面,所述第二电极的所述底面与所述第一绝缘部接触,

所述第二电介质部与所述第二电极接触,具有第一电介质层,所述第一电介质层与所述第一绝缘部及所述第二电极的所述侧面接触,所述第一电介质层具有比所述第一绝缘部的相对介电常数以及所述第二绝缘部的相对介电常数高的相对介电常数。

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