[发明专利]具有导电图案的基板及其制造方法、电子器件的制造方法、金属纳米体用保护膜在审
申请号: | 202210586539.4 | 申请日: | 2022-05-26 |
公开(公告)号: | CN115480450A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 片山晃男;佐藤守正 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G03F7/038 | 分类号: | G03F7/038;G03F7/027;G03F7/004;C09D129/14;C09D133/00;C09D133/06;C09D133/10;C09D161/06;C09D167/00;C23F1/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 薛海蛟 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 导电 图案 及其 制造 方法 电子器件 金属 纳米 体用 保护膜 | ||
1.一种具有导电图案的基板的制造方法,其包括:
工序1a,在基板上形成包含金属纳米体及树脂1的导电层a;
工序1b,在所述导电层a上形成包含树脂2的树脂层b;
工序2a,在所述树脂层b上形成感光性树脂层c;
工序3,对于所述感光性树脂层c,通过曝光及显影处理获得所述感光性树脂层的树脂图案c’;
工序4,通过蚀刻去除所述导电层a中的金属纳米体,而形成导电图案d;及
工序5a,使所述树脂1及所述树脂2中的至少一者软化或溶胀。
2.一种具有导电图案的基板的制造方法,其包括:
工序1a,在基板上形成包含金属纳米体及树脂1的导电层a;
工序2b,在所述导电层a上形成感光性树脂层c;
工序3,对于所述感光性树脂层c,通过曝光及显影处理获得所述感光性树脂层的树脂图案c’;
工序4,通过蚀刻去除所述导电层a中的金属纳米体,形成导电图案d;及
工序5b,使所述树脂1软化或溶胀。
3.根据权利要求1或2所述的具有导电图案的基板的制造方法,其中,
所获得的具有导电图案的基板的至少一个面具有形成有所述导电图案d的第1区段和未形成所述导电图案d的第2区段,
通过扫描型电子显微镜从所述基板的厚度方向观察所述第2区段时观察到空隙的面积相对于所述第2区段的总面积为10%以下。
4.根据权利要求3所述的具有导电图案的基板的制造方法,其中,
通过扫描型电子显微镜从所述基板的厚度方向观察所述第2区段时观察到空隙的面积相对于所述第2区段的总面积为8%以下。
5.根据权利要求4所述的具有导电图案的基板的制造方法,其中,
通过扫描型电子显微镜从所述基板的厚度方向观察所述第2区段时观察到空隙的面积相对于所述第2区段的总面积为5%以下。
6.根据权利要求1或2所述的具有导电图案的基板的制造方法,其中,
所述导电层a相对于波长为380nm~780nm的光的透射率为70%以上。
7.根据权利要求1或2所述的具有导电图案的基板的制造方法,其中,
所述金属纳米体为金属纳米线。
8.根据权利要求1或2所述的具有导电图案的基板的制造方法,其中,
所述金属纳米体是纵横比为1:1~1:10并且球当量直径为1nm~200nm的纳米粒子。
9.根据权利要求1或2所述的具有导电图案的基板的制造方法,其中,
所述金属纳米体为银或银化合物的纳米体。
10.根据权利要求1或2所述的具有导电图案的基板的制造方法,其中,
进一步在所述基板中的与设置有所述导电层a的面相反的一侧的面形成导电图案d’。
11.根据权利要求1所述的具有导电图案的基板的制造方法,其中,
所述树脂层b具有能够与所述金属纳米体中所包含的金属键合或配位的化合物e。
12.根据权利要求11所述的具有导电图案的基板的制造方法,其中,
所述化合物e为具有未共享电子对的化合物。
13.根据权利要求12所述的具有导电图案的基板的制造方法,其中,
所述化合物e为选自具有未共享电子对的含氮化合物及具有未共享电子对的含硫化合物中的至少1种化合物。
14.根据权利要求1或2所述的具有导电图案的基板的制造方法,其中,
所述感光性树脂层c包含碱溶性树脂、聚合性化合物及光聚合引发剂。
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