[发明专利]一种单粒子效应引发阱电势调制的建模方法

权利要求书

1.一种单粒子效应引发阱电势调制的建模方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)确定待分析工艺对应的阱电阻表达式；

2)计算条带型阱接触布局对应的阱间电流源；

3)提取待分析工艺电路版图中的待分析最小独立单元；

4)依据步骤1)、步骤2)计算得到的待分析工艺对应的阱电阻表达式和阱间电流源，针对步骤3)提取得到的待分析最小独立单元，计算给定阱接触布局和入射位置情况下的阱间电流源；

5)选定任意位置，计算得到单粒子效应引发阱电势调制随时间的变化关系。

2.根据权利要求1所述的单粒子效应引发阱电势调制的建模方法，其特征在于，步骤1)具体为：

1.1)参照生产厂家给出的工艺库模型，利用半导体器件仿真工具构建数值仿真可用的P型单管和N型单管器件的仿真模型，通过调整沟道及源漏区掺杂信息，校准晶体管的常态电学特性参数；所述常态电学特性参数包括阈值电压及静态电流；

1.2)确定待分析工艺对应的阱电阻表达式；

定义待分析工艺电路版图中包含M个N阱阱接触和N个P阱阱接触，则：

重离子入射N阱区域时，总的阱电阻R_total为：

其中，R_Nwell1,i代表第i个N阱阱接触与重离子入射点之间的接触电阻与路径电阻之和；R_Nwell2代表重离子在N阱中的入射点与N-well/P-well阱交界处之间的路径电阻；R_Pwell,j代表第j个P阱阱接触与N-well/P-well阱交界处之间的核准接触电阻与路径电阻之和；

R_Nwell1,i＝f_nwell1/S_Nwell1,i+f_nwell2·(d_1,i-f_dNwell/2)

R_Nwell2＝f_nwell2·(d₂-f_dNwell/2)

R_Pwellj＝f_pwell1/S_Pwell,j+f_pwell2·d_3,j

其中，f_nwell1,f_nwell2,f_pwell1和f_pwell2分别代表N阱接触电阻系数、N阱路径电阻系数、P阱接触电阻系数和P阱路径电阻系数；

f_dNwell代表N阱中位于入射点附近等电势面的横向尺寸；

S_Nwell1,i和S_Pwell,j代表第i个N阱阱接触的面积和第j个P阱阱接触的面积；

d_1,i代表第i个N阱阱接触与入射点位置之间的间距值；

d₂代表入射点位置与N-well/P-well阱交界处之间的间距值；

d_3,j代表阱交界处与第j个P阱阱接触之间的间距值；

重离子入射P阱区域时，总的阱电阻R_total可以表示为：

其中，R_Nwell,i代表第i个N阱阱接触与N-well/P-well阱交界处之间的接触电阻与路径电阻之和；R_Pwell1代表重离子在P阱中的入射点与N-well/P-well阱交界处之间的路径电阻；R_Pwell2,j代表第j个P阱阱接触与重离子入射点之间的接触电阻与路径电阻之和；

R_Nwell,i＝f_nwell1/S_Nwell,i+f_nwell2·d_1,i

R_Pwell1＝f_pwell2·(d₂-f_dPwell/2)

R_Pwell2,j＝f_pwell1/S_Pwell2,j+f_pwell2·(d_3,j-f_dPwell/2)；

1.3)依据步骤1.1)中构建的仿真模型开展计算，通过持续调节参数，直至阱间电流源出现峰值饱和，计算阱间电流源的饱和峰值I_{max_plateau}；

R_total＝V_dd/I_{max_plateau}

其中，V_dd代表电源电压；

1.4)重复步骤1.3)，计算至少6组涵盖重离子入射N阱和P阱不同情况下的阱间电流源的饱和峰值I_{max_plateau}，求解步骤1.2)中多元一次方程(1)和(2)即可得到阱电阻表达式中所有待定参数的取值，进而获得阱电阻表达式。