[发明专利]一种半嵌入银纳米线复合透明电极及其制备方法

权利要求书

1.一种半嵌入银纳米线复合透明电极，其特征在于，所述复合透明电极以PET膜为基底，在PET膜表面设有银纳米线导电膜，以及羟乙基纤维素膜，银纳米线导电膜由银纳米线密集交叉接触形成网络结构，羟乙基纤维素膜填充于银纳米线导电膜内，且羟乙基纤维素膜厚度小于银纳米线导电膜的厚度，使银纳米线半嵌于羟乙基纤维素膜内。

2.一种权利要求1所述的半嵌入银纳米线复合透明电极，其特征在于，所述PET膜厚度为50～200μm，所述银纳米线导电膜厚度≤50μm，所述羟乙基纤维素膜厚度≤5μm。

3.一种权利要求1或2所述的半嵌入银纳米线复合透明电极的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

S1、制备银纳米线分散液：将聚乙烯吡咯烷酮加入乙二醇中，加热溶解得到混合液，冷却后加入AgNO₃，搅拌至澄清透明得到AgNO₃的乙二醇溶液，然后向体系中加入FeCl₃的乙二醇溶液和NaCl的乙二醇溶液，搅拌均匀后加热进行还原反应，反应结束后冷却至室温，所得固体产物洗涤后分散于乙醇中得到银纳米线分散液；

S2、将羟乙基纤维素加热分散于去离子水中，并加入乙醇，得到HEC分散液；

S3、将步骤S1所得银纳米线分散液涂覆于表面洁净的PET膜表面，自然挥发干燥后，在PET膜上得到银纳米线导电膜，然后使用湿膜制备器将步骤S2所得HEC分散液涂覆在带银纳米线导电膜的PET膜表面，自然挥发干燥后在银纳米线导电膜中形成羟乙基纤维素膜，得到半嵌入银纳米线复合透明电极。

4.根据权利要求3所述的半嵌入银纳米线复合透明电极的制备方法，其特征在于，S1所述聚乙烯吡咯烷酮与乙二醇的质量体积比为1g/100～1000mL。

5.根据权利要求3所述的半嵌入银纳米线复合透明电极的制备方法，其特征在于，S1所述AgNO₃的乙二醇溶液浓度为10～50mmol/L。

6.根据权利要求3所述的半嵌入银纳米线复合透明电极的制备方法，其特征在于，S1所述FeCl₃的乙二醇溶液中FeCl₃的浓度为1～10mmol/L，所述NaCl的乙二醇溶液中NaCl的浓度为1～10mmol/L；S1中AgNO₃、FeCl₃与NaCl的质量比为100：0.01～0.1：0.01～0.1。

7.根据权利要求3所述的半嵌入银纳米线复合透明电极的制备方法，其特征在于，S1所述还原反应条件为：90～150℃下反应3～8h。

8.根据权利要求3所述的半嵌入银纳米线复合透明电极的制备方法，其特征在于，S1所述银纳米线分散液浓度为1～5mg/mL，其中银纳米线直径为100～200nm，长度为150～250μm。

9.根据权利要求3所述的半嵌入银纳米线复合透明电极的制备方法，其特征在于，S2所述HEC分散液中羟乙基纤维素质量浓度为0.1～0.5％，去离子水与乙醇质量比为1～3：1。

10.一种权利要求1或2所述的半嵌入银纳米线复合透明电极在柔性半导体器件领域的应用。