[发明专利]基于金银簇配合物的深蓝光电致发光器件及其制备方法在审
申请号: | 202210590579.6 | 申请日: | 2022-05-27 |
公开(公告)号: | CN115117264A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 倪骥腾;孙佳南;许辉;钟春雷;苏梦雪 | 申请(专利权)人: | 黑龙江大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 | 代理人: | 张玉玲 |
地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 金银 配合 深蓝 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于金银簇配合物的深蓝光电致发光器件,其特征在于,所述器件的发光层客体材料为金簇配合物和金银簇配合物中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述器件的发光层客体材料为[O(AuPPh2py)3]BF4和/或[O(AuPPh2py)3Ag](BF4)2,优选为[O(AuPPh2py)3]BF4或[O(AuPPh2py)3Ag](BF4)2。
3.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述发光层材料中,客体材料的质量分数为0.2%-1.2%,优选为0.3%-0.9%,更优选为0.4%-0.6%。
4.根据权利要求1至3之一所述的电致发光器件,其特征在于,所述基于金银簇配合物的深蓝光电致发光器件还包括衬底层、导电阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极导电层。
5.根据权利要求1至3之一所述的电致发光器件,其特征在于,所述空穴注入层材料选自钼的氧化物或聚3,4-乙烯二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐混合物,优选为钼的氧化物;空穴注入层厚度为2~20nm,优选为3~15nm。
6.根据权利要求1至3之一所述的电致发光器件,其特征在于,所述发光层的主体材料为二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO);所述发光层蒸镀厚度为10-50nm,优选为15-40nm。
7.一种基于金银簇配合物的深蓝光电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
一、制备导电阳极层;
二、制备空穴注入层,在阳极导电层上进行蒸镀空穴注入层;
三、制备空穴传输层,在空穴注入层上进行蒸镀空穴传输层;
四、制备电子阻挡层,所述电子阻挡层在空穴传输层上进行蒸镀;
五、制备发光层,所述发光层在电子阻挡层上进行蒸镀;
六、制备空穴阻挡层,所述空穴阻挡层在发光层上进行蒸镀;
七、制备电子传输层,所述电子传输层在空穴阻挡层上进行蒸镀;
八、制备电子注入层,所述电子注入层在电子传输层上进行蒸镀;
九、制备阴极导电层,封装,得到热激发延迟荧光电致发光器件,所述阴极导电层在电子注入层上蒸镀。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,步骤一中,
将经去离子水清洗的玻璃或塑料衬底放入真空蒸镀仪,在衬底层上制备导电阳极层;
真空蒸镀真空度为2×10-4~7×10-4pa,优选为3×10-4~5×10-4pa,蒸镀速率设为0.1~0.5nm/s。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,采用真空蒸镀法进行制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极导电层。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,步骤四中,真空蒸镀真空度为2×10-4~7×10-4pa,优选为3×10-4~5×10-4pa;蒸镀速率设为0.1~0.5nm/s,优选为0.1nm/s~0.2nm/s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黑龙江大学,未经黑龙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210590579.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择