[发明专利]电流产生电路、芯片及电子设备在审

专利信息
申请号: 202210590966.X 申请日: 2022-05-27
公开(公告)号: CN114815950A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 黄胜;虞少平 申请(专利权)人: 浙江地芯引力科技有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 王卫丽
地址: 311215 浙江省杭州市萧*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电流 产生 电路 芯片 电子设备
【权利要求书】:

1.一种电流产生电路,其特征在于,包括:

第一电流产生电路,用于生成正温度系数电流;

第二电流产生电路,与所述第一电流产生电路并联连接,用于生成无温度系数电流;

第三电流产生电路,分别与所述第一电流产生电路和所述第二电流产生电路并联连接,生成负温度系数电流;

第四电流产生电路,分别与所述第一电流产生电路、所述第二电流产生电路和所述第三电流产生电路连接,并基于所述正温度系数电流、所述无温度系数电流及所述负温度系数电流,生成混合温度系数电流。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一电流产生电路包括第一运放电路和第一电流开关;所述第一运放电路的一端连接供电电压,另一端接地,用于生成正温度系数的电流;

所述第一电流开关与所述第一运放电路连接,用于控制所述正温度系数电流的输出。

3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述第一运放电路包括第一运放器、第一MOS管、第一电阻、第一三极管、第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二三极管;

所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极均连接供电电压,所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极连接,所述第一MOS管的漏极连接所述第一电阻,所述第二MOS管的漏极连接所述第二电阻;

所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的集电极均接地,所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极连接,所述第一三极管的发射极与所述第一电阻连接,所述第二三极管的发射极与所述第三电阻连接;

所述第二电阻与所述第三电阻连接;

所述第一运放器的正向输入端连接在所述第二电阻和所述第三电阻之间,反向输入端连接所述第一三极管的发射极,输出端分别连接所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极。

4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述第一电流开关包括多个第三MOS管,每个第三MOS管的源极均连接供电电压,漏极用作电流输出;且每个第三MOS管的栅极均分别与所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极连接。

5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第二电流产生电路包括第二运放电路和第二电流开关;所述第二运放电路的一端连接供电电压,另一端接地,用于生成无温度系数的电流;

所述第二电流开关与所述第二运放电路连接,用于控制所述无温度系数电流的输出。

6.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述第二运放电路包括第二运放器、第四MOS管、第五MOS管及第四电阻;

所述第四MOS管的源极连接供电电压,所述第四MOS管的漏极和栅极均连接所述第五MOS管的源极,所述第五MOS管的漏极连接所述第四电阻,且所述第四电阻接地;

所述第二运放器的正向输入端连接所述第五MOS管的漏极,反向输入端连接第二参考电压,输出端连接所述第五MOS管的栅极。

7.根据权利要求6所述的电路,其特征在于,所述第二电流开关包括多个第六MOS管,每个第六MOS管的源极均连接供电电压,漏极用作电流输出;且每个第六MOS管的栅极均分别与所述第四MOS管的栅极连接。

8.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述第三电流产生电路包括第三运放电路和第三电流开关;所述第三运放电路的一端连接供电电压,另一端接地,用于生成负温度系数的电流;

所述第三电流开关与所述第三运放电路连接,用于控制所述负温度系数电流的输出。

9.根据权利要求8所述的电路,其特征在于,所述第三运放电路包括第三运放器、第七MOS管、第八MOS管及第五电阻;

所述第七MOS管的源极连接供电电压,所述第七MOS管的漏极和栅极均连接所述第八MOS管的源极,所述第八MOS管的漏极连接所述第五电阻,且所述第五电阻接地;

所述第三运放器的正向输入端连接所述第八MOS管的漏极,反向输入端连接所述第二三极管的发射极,输出端连接所述第八MOS管的栅极。

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