[发明专利]一种D-dot探头低频性能的评估与保证方法在审
申请号: | 202210592852.9 | 申请日: | 2022-05-27 |
公开(公告)号: | CN114878943A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 胡郑勇;丛培天;周伟强;王金斌;钟向丽;罗维熙 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R15/04 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 张鑫垚 |
地址: | 411100 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dot 探头 低频 性能 评估 保证 方法 | ||
1.一种D-dot探头(100)低频性能的评估与保证方法,其特征在于,包括:
根据待测探头(100)和传输线的结构建立等效电路模型;
将所述等效电路模型输入至电路仿真系统,在所述电路仿真系统中调节所述水介质的阻抗值,获得对应的电路仿真数据;
分析所述电路仿真数据中的所述高压臂电容C1、、所述仿真电路低频下限数据、所述水介质的阻值Rw,确定所述待测探头(100)的低频下限fmin、高压臂电容C1与所述水介质的电阻率ρ间的关系。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述等效电路模型包括:所述待测探头(100)的信号电极(101)与传输线内筒(202)构成的高压臂电容C1、所述信号电极(101)与所述待测探头(100)外壳构成的低压臂电容C2、所述信号电极(101)的电感L、所述信号电极(101)与传输线内筒(202)间水介质的阻值Rw。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述分析所述电路仿真系统中的所述高压臂电容C1、、所述仿真电路低频下限数据、所述水介质的阻值Rw,包括:
调节所述电路仿真系统中的水介质的阻值Rw,计算对应的高压臂电容C1的的容抗与所述水介质阻值Rw的比值。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
所述低压臂电容C2满足下面关系式:
其中,所述待测探头(100)的绝缘层(102)相对介电常数为ε1,ε0为真空介电常数,为所述待测探头(100)外壳内孔径;为所述信号电极(101)直径。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
所述信号电极(101)的电感L满足以下关系:
其中,l为所述信号电极(101)杆长度,d为所述信号电极(101)的直径。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
所述高压臂电容C1,满足以下关系:
其中,k表示所述探头(100)的待测信号幅值,与探头(100)输出电压u2经数值积分后的幅值的比值;Z为探头(100)输出阻抗值。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述确定所述待测探头(100)的低频下限、高压臂电容C1与所述水介质的电阻率ρ间的关系,包括:
将高压臂电容C1的的容抗与所述水介质阻值Rw的比值取定值为2;
所述待测探头(100)的低频下限fmin、高压臂电容C1与所述水介质的电阻率ρ满足以下关系式:
其中,I为所述信号电极(101)下端面至传输线内筒(202)的距离;S为所述信号电极(101)下端端面与所述传输线内筒(202)之间形成的等效水柱(204)的横截面积。
8.根据权利要求1-7中任一所述的方法,其特征在于,包括:
若所述待测探头(100)的低频下限高于预设阈值,则更换所述探头(100)或更换所述传输线中所述水介质。
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