[发明专利]一种晶体生长过程中缺陷监控装备有效
| 申请号： | 202210595558.3 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN114959869B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 袁韶阳;冯佳峰;于会永;赵春锋;赵中阳;刘钊;张艳辉;荆爱明 | 申请（专利权）人： | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;H04N23/50;H04N7/18 |
| 代理公司： | 黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙) 23218 | 代理人： | 孙淑荣 |
| 地址： | 163000 黑龙江省大庆市高新区火*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 过程 缺陷 监控 装备 | ||
1.一种晶体生长过程中缺陷监控装备，包括生长炉（2），生长炉（2）内放置有石英管（3），石英管（3）内放置有同轴的坩埚，坩埚下部设置有支撑装置（7），支撑装置（7）下方设置有旋转装置（8），从而使得石英管（3）及坩埚在生长炉（2）内转动，其特征在于：生长炉（2）的内壁为圆锥面，其中上端为小径端，下端为大径端，生长炉（2）内壁的下部分设置有反射条（1），生长炉（2）与支撑装置（7）之间设置有接受反射信号的监视器，监视器与反射条（1）处于同一相位，监视器外部设置有冷却装置；
所述的反射条（1）为热导体材料制成，反射条（1）的横截面为拱形，从而增加反射视角的宽度。
2.根据权利要求1所述的一种晶体生长过程中缺陷监控装备，其特征在于：所述的冷却装置与生长炉（2）在周向上相对固定设置，冷却装置包括冷却环，冷却环包括上环板（4）和下环板（6），上环板（4）和下环板（6）之间为冷却腔（9），所述的监视器包括摄像头（5），摄像头（5）位于冷却腔（9）内，冷却腔（9）设置有进口（10）和出口（11）。
3.根据权利要求2所述的一种晶体生长过程中缺陷监控装备，其特征在于：所述的摄像头（5）有两个，两个摄像头（5）呈180度相位角分布于冷却腔（9）内，所述的进口（10）和出口（11）同样呈180度相位角分布于冷却腔（9）上，进口（10）分别与两个摄像头（5）呈90度相位角。
4.根据权利要求1所述的一种晶体生长过程中缺陷监控装备，其特征在于：所述的冷却装置下方设置有位移装置，位移装置带动冷却装置相对生长炉（2）的轴向产生位移。
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