[发明专利]逆阻-半桥混合子模块、DC/DC变换器及其控制方法在审
申请号: | 202210596708.2 | 申请日: | 2022-05-30 |
公开(公告)号: | CN114785153A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 刘其辉;樊双婕;洪诚程;郭小江;汤海雁;申旭辉;李铮;崔学深 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能集团技术创新中心有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02H9/02;H02H7/28;H02J3/38 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 102206 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 逆阻 混合 模块 dc 变换器 及其 控制 方法 | ||
1.一种逆阻-半桥混合子模块,其特征在于,所述混合子模块包括:半桥型子模块、IGBT模块VT6、逆阻型半桥子模块和二极管D5;
所述半桥型子模块、IGBT模块VT6和所述逆阻型半桥子模块依次串联连接形成第一串联支路;
所述二极管D5与所述第一串联支路反向并联连接。
2.根据权利要求1所述的逆阻-半桥混合子模块,其特征在于,所述逆阻型半桥子模块包括:IGBT模块VT3、RB-IGBT模块VT4、RB-IGBT模块VT5和电容C2;
所述IGBT模块VT3和所述RB-IGBT模块VT4串联连接形成第二串联支路;
所述RB-IGBT模块VT5与所述RB-IGBT模块VT4反向并联连接;
所述电容C2与所述第二串联支路并联连接。
3.根据权利要求2所述的逆阻-半桥混合子模块,其特征在于,所述半桥型子模块包括:IGBT模块VT1、IGBT模块VT2和电容C1;
所述IGBT模块VT1与所述IGBT模块VT2串联连接形成第三串联支路;
所述电容C1与所述第三串联支路并联连接。
4.根据权利要求3所述的逆阻-半桥混合子模块,其特征在于,所述IGBT模块VT1、所述IGBT模块VT2、所述IGBT模块VT3和IGBT模块VT6分别反向并联有二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4。
5.根据权利要求4所述的逆阻-半桥混合子模块,其特征在于,
当所述混合子模块处于第一投入状态时,所述IGBT模块VT1、所述IGBT模块VT3、所述RB-IGBT模块VT5和所述IGBT模块VT6处于导通状态,所述IGBT模块VT2和所述RB-IGBT模块VT4处于断开状态;
当所述混合子模块处于第二投入状态时,所述IGBT模块VT2、所述RB-IGBT模块VT4、所述RB-IGBT模块VT5和所述IGBT模块VT6处于导通状态,所述IGBT模块VT1和所述IGBT模块VT3处于断开状态;
当所述混合子模块处于第三投入状态时,所述IGBT模块VT1、所述RB-IGBT模块VT4、所述RB-IGBT模块VT5和所述IGBT模块VT6处于导通状态,所述IGBT模块VT2和所述IGBT模块VT3处于断开状态;
当所述混合子模块处于切除状态时,所述IGBT模块VT2、所述IGBT模块VT3、所述RB-IGBT模块VT5和所述IGBT模块VT6处于导通状态,所述IGBT模块VT1和所述RB-IGBT模块VT4处于断开状态;
当所述混合子模块处于闭锁状态时,所述IGBT模块VT1、所述IGBT模块VT2、所述IGBT模块VT3、所述RB-IGBT模块VT4、所述RB-IGBT模块VT5和所述IGBT模块VT6均处于断开状态。
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