[发明专利]一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法

权利要求书

1.一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其特征在于，包括湿法清洗和气相清洗，所述气相清洗为使用氢气蚀刻去除晶片表面顽固的有机物，其中氢气的温度控制在900～1500℃。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其特征在于，所述氢气的流量控制在25L/min～40L/min，氢气对晶片表面蚀刻的时间控制在5～15min。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将CMP后的碳化硅外延晶片去颗粒清洗，然后揭掉碳化硅外延晶片的外延硅面保护膜；

S2、对揭膜后的碳化硅外延晶片进行有机溶剂浸泡清洗，其中有机溶剂的温度控制在30～45℃内，处理时间控制在20min～40min；

S4、将碳化硅外延晶片转移至纯水超声槽中，进行循环纯水溢流超声；

S5、将碳化硅外延晶片进行SPM药液浸泡，SPM药液的浸泡温度控制范围在120～140℃；

S6、将碳化硅外延晶片转移至纯水超声槽中，进行纯水循环溢流超声清洗；

S7、将碳化硅外延晶片进行APM药液浸泡，APM药液的浸泡温度控制范围在45～70℃；

S8、将碳化硅外延晶片转移至纯水超声槽中，进行纯水循环溢流超声清洗；

S9、将碳化硅外延晶片进行1200rpm转速甩干；

S10、对碳化硅外延晶片进行气相清洗。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其特征在于，所述S2步骤中的有机溶剂浓度范围在60％-99.9％，有机溶剂为丙酮溶液或异丙醇溶液。

5.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其特征在于，所述S2步骤在有机溶剂控温浸泡清洗中增加超声波处理，超声波处理的时间控制在5～15min。

6.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其特征在于，所述S5步骤中，SPM药液比例：98％浓硫酸：30％-32％过氧化氢＝3:1或5:2，其中SPM药液浸泡处理时间控制在10～30min。

7.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其特征在于，所述S7步骤中，APM药液比例：28％-30％氨水溶液：30％-32％过氧化氢：纯水＝1:1:5或1:1:6，处理时间控制在10～30min。

8.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其特征在于，所述S4、S6和S8中纯水循环溢流超声清洗的循环周期为2-4次，处理时间控制在5～15min。

9.根据权利要求8所述的一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其特征在于，所述S4、S6和S8中的超声清洗频率采用40-80KHz变频方式，超声波功率范围为500～800W，超声传递方式为纵向液体传递。

10.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其特征在于，所述S9步骤的甩干过程使用氮气进行吹扫，甩干时间5～8分钟。