[发明专利]一种存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

第一半导体结构，所述第一半导体结构至少包括动态随机存储阵列；

第二半导体结构，所述第二半导体结构至少包括外围电路；

所述动态随机存储阵列包括晶体管结构和电容结构，所述电容结构位于所述晶体管结构远离所述第二半导体结构的一侧。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述动态随机存储阵列还包括位线，所述电容结构通过所述晶体管结构耦接所述位线，其中所述电容结构位于所述晶体管结构远离所述位线的一侧。

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述动态随机存储阵列还包括第一基底，所述晶体管结构位于所述第一基底上且所述晶体管结构包括字线和位于所述字线两侧的源区及漏区。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述字线埋设于所述第一基底内。

5.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述动态随机存储阵列还包括第一基底；所述晶体管结构还包括沟道区、字线、源区及漏区，所述字线环绕至少部分所述沟道区，所述位线与所述晶体管结构的所述漏区耦接。

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述字线环绕部分所述沟道区，所述源区和所述漏区位于所述第一基底靠近所述第二半导体结构的一侧表面上。

7.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述字线环绕所述沟道区，沿所述第二半导体结构指向所述第一半导体结构的方向，所述源区和所述漏区分别设置于所述沟道区两侧。

8.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第一半导体结构还包括位于所述第一基底和所述位线之间的第一介质层，所述第一介质层内设置有通孔，所述位线通过所述通孔与所述晶体管结构的所述漏区连接。

9.根据权利要求3或5所述的存储器，其特征在于，所述第一半导体结构还包括子字线驱动器、感测放大电路和开关控制电路，所述子字线驱动器、所述感测放大电路和所述开关控制电路位于所述第一基底上；其中，所述子字线驱动器沿第一方向设置于所述动态随机存储阵列的至少一侧且与所述字线电连接；所述感测放大器沿第二方向设置于所述动态随机存储阵列的至少一侧且与所述位线电连接；所述开关控制电路设置于所述动态随机存储阵列的外侧，且位于所述子字线驱动器和所述感测放大电路之间，所述第一方向和所述第二方向相交且平行于所述第一基底的表面。

10.根据权利要求3或5所述的存储器，其特征在于，所述第二半导体结构还包括第二基底、子字线驱动器、感测放大电路和开关控制电路，所述外围电路、所述子字线驱动器、所述感测放大电路和所述开关控制电路均位于所述第二基底上；其中，所述子字线驱动器沿第一方向设置于所述外围电路的至少一侧且与所述字线电连接；所述感测放大电路沿第二方向设置于所述外围电路的至少一侧且与所述位线电连接；所述开关控制电路设置于所述外围电路的外侧，且位于所述子字线驱动器和所述感测放大电路之间，所述第一方向和所述第二方向相交且平行于所述第二基底的表面。

11.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：

形成第一半导体结构，所述第一半导体结构至少包括动态随机存储阵列，所述动态随机存储阵列至少包括晶体管结构；

形成第二半导体结构，所述第二半导体结构至少包括外围电路；

将所述第一半导体结构和所述第二半导体结构键合连接；

在所述晶体管结构远离所述第二半导体结构的一侧形成电容结构。