[发明专利]一种薄膜材料集成方法在审
申请号: | 202210604165.4 | 申请日: | 2022-05-31 |
公开(公告)号: | CN114975084A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 狄增峰;刘冠宇;田子傲;姜海涛;薛忠营;张苗 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人: | 魏峯 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 材料 集成 方法 | ||
1.一种薄膜材料集成方法,包括如下步骤:
提供一基底;
形成石墨烯层于所述基底的上表面;
形成至少一功能材料层于所述石墨烯层的上表面;
形成刚性临时基底层于所述石墨烯层的上表面,所述刚性临时基底层覆盖所述功能材料层;其中,在所述刚性临时基底层表面形成临时键合胶层;将所述刚性临时基底层与所述功能材料层进行临时键合;
将由所述刚性临时基底层、所述功能材料层组成的叠层结构从所述石墨烯层表面机械剥离;
将所述叠层结构转移至目标衬底,所述功能材料层与所述目标衬底的表面接触;
去除所述刚性临时基底层,并使所述功能材料层留在所述目标衬底的表面。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述基底包括锗层、碳化硅层、锗硅层、硅层、铜层、镍层、陶瓷层及玻璃层中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:形成所述石墨烯层的方法包括化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、机械剥离、湿法转移、干法转移中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述功能材料层包括金属材料、介电材料、铁电材料、半导体材料、铁磁材料中的至少一种;形成所述功能材料层的方法包括物理气相沉积、原子层沉积、分子束外延、化学气相沉积中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述刚性临时基底层包括玻璃片、蓝宝石片、金属片、硅片、锗片中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述临时键合胶层包括热滑移胶、可溶性胶、激光胶中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:通过真空环境下对所述刚性临时基底与所述功能材料层加热加压完成临时键合。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:掀起所述刚性临时基底层,或者通过塞尺插入所述刚性临时基底层与功能材料层之间,以将所述功能材料层从所述石墨烯层表面机械剥离。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述目标衬底包括柔性衬底、二维材料衬底、钙钛矿衬底中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:将所述叠层结构以对准方式转移至目标衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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