[发明专利]抗跌落振膜结构芯片及其制备方法

说明书

本发明提供了一种抗跌落振膜结构芯片及其制备方法，其中的抗跌落振膜结构芯片包括基板、设置在所述基板上的基底组件以及设置在所述基底组件上的振膜组件；所述基底组件包括至少两层上下叠设的基底层，其中，在相邻的两层所述基底层之间均设置有缓冲连接层。本发明提供的抗跌落振膜结构芯片及其制备方法能够解决现有技术中为抵抗芯片跌落损坏而导致振膜或背极板厚度或层数增多的问题。

技术领域

本发明涉及芯片制备技术领域，更为具体地，涉及一种抗跌落振膜结构芯片及其制备方法。

背景技术

对于大部分的电子设备类消费性产品(如智能手表、手机等等)，为了丰富电子设备类消费性产品的功能，许多具有振膜结构的芯片(如MEMS麦克风芯片，即微机电麦克风芯片)应用于电子设备类消费性产品；然而，在电子设备类消费性产品实际使用过程中，振膜结构的芯片非常容易因消费性产品又跌落而造成损坏。

在实际制备过程中(以微机电麦克风芯片的制备为例)，为解决上述技术问题，在微机电麦克风芯片的跌落可靠度测试中，一般会增加振膜或背极板的厚度或层数，来抵抗微机电麦克风芯片跌落损坏，以避免麦克风的振膜与背极板破损。

然而，上述方法虽然可以在一定程度上有效降低振膜与背极板的破损，但是此方法也会由于增加振膜或背极板的厚度或层数而导致麦克风的电声性能大幅降低。此外，为增加振膜或背极板的厚度或层数，也必须在工艺上增加多道程序,才能制作出较厚或多层的振膜或背极板，显然，这种操作也会大大增加麦克风制作成本与工艺良率风险。

基于上述技术问题，亟需一种既能够有效抵抗跌落造成的影响又不增加振膜或背极板的厚度的解决方法。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种新型的抗跌落振膜结构芯片及其制备方法，以解决现有技术中为抵抗芯片跌落损坏而导致振膜或背极板厚度或层数增多的问题。

本发明提供的抗跌落振膜结构芯片，包括基板、设置在所述基板上的基底组件以及设置在所述基底组件上的振膜组件；所述基底组件包括至少两层上下叠设的基底层，其中，在相邻的两层所述基底层之间均设置有缓冲连接层。

此外，优选的方案是，在所述基底组件中，处于最上层的所述基底层为硅基底，处于非最上层的所有基底层均为硅载板；其中，

所述振膜组件设置在所述硅基底上。

此外，优选的方案是，所述基底组件具有内部通孔，在所述通孔的内侧设置有加宽部。

此外，优选的方案是，所述缓冲连接层由低杨氏系数芯片连接材料制成。

此外，优选的方案是，所述低杨氏系数芯片连接材料包括5～10um的芯片粘接膜、环氧树脂底部填充胶、填充焊丝、电镀焊锡凸块/铜柱以及20～50um异方性导电胶中的至少一种。

此外，优选的方案是，当所述缓冲连接层的层数大于两层时，不同的缓冲连接层所采用的低杨氏系数芯片连接材料相同或不同。

此外，优选的方案是，当所述缓冲连接层的层数大于两层时，不同的缓冲连接层的厚度相同或不同。

此外，优选的方案是，所述振膜组件包括设置在所述基底组件上的振膜与背极板；其中，

在所述振膜与所述背极板之间设置有牺牲层。

另一方面，本发明还提供一种如前述的抗跌落振膜结构芯片的制备方法，所述方法包括：

分别拾取硅载板和MEMS晶片，其中，所述MEMS晶片包括振膜组件和设置在所述振膜组件底部的硅基底；

将所述硅载板定位在预设的载体晶圆上；

在所述硅载板上点缓冲连接胶，并在所述MEMS晶片上的硅基底的底面上点缓冲连接胶；