[发明专利]3D存储器件及其制造方法、存储系统、电子设备

权利要求书

1.一种3D存储器件，其中，包括片存储区，所述片存储区包括：

叠层结构；

贯穿所述叠层结构的多个栅线隙，所述多个栅线隙沿第一方向排布，且相邻栅线隙之间设有贯穿所述叠层结构的多个沟道柱，

其中，所述片存储区包括沿所述第一方向排布的中心区和至少一个边缘区，所述至少一个边缘区中的至少一个所述栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离，大于所述中心区中任意一个所述栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述片存储区包括位于所述中心区两侧的第一边缘区和第二边缘区，所述第一边缘区和/或所述第二边缘区中的任意一个所述栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离，大于所述中心区中任意一个所述栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离。

3.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述第一边缘区中的所述栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离沿所述中心区向所述第一边缘区延伸的方向递增，和/或所述第二边缘区中的所述栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离沿所述中心区向所述第二边缘区延伸的方向递增。

4.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述至少一个边缘区中的至少一组所述相邻栅线隙的间距，大于所述中心区中的任意一组所述相邻栅线隙的间距。

5.根据权利要求4所述的3D存储器件，其中，每一组所述相邻栅线隙之间的沟道柱数量、沟道柱排布方式均相同。

6.根据权利要求4所述的3D存储器件，其中，所述片存储区包括位于所述中心区两侧的第一边缘区和第二边缘区，所述第一边缘区和/或所述第二边缘区中的任一组所述相邻栅线隙的间距，大于所述中心区中的任意一组所述相邻栅线隙的间距。

7.根据权利要求6所述的3D存储器件，其中，所述第一边缘区中的所述相邻栅线隙的间距沿所述中心区向所述第一边缘区延伸的方向递增，和/或所述第二边缘区中的所述相邻栅线隙的间距沿所述中心区向所述第二边缘区延伸的方向递增。

8.根据权利要求4所述的3D存储器件，其中，所述中心区中的所述相邻栅线隙间的间距相等。

9.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，位于至少一个所述边缘区中的任意一个所述栅线隙沿所述第一方向的宽度，大于或者等于位于所述中心区中的任意一个所述栅线隙沿所述第一方向的宽度。

10.根据权利要求9所述的3D存储器件，其中，所述片存储区包括位于所述中心区两侧的第一边缘区和第二边缘区，所述第一边缘区中的所述栅线隙沿所述第一方向的宽度沿所述中心区向所述第一边缘区延伸的方向递增，和/或位于所述第二边缘区中的所述栅线隙沿所述第一方向的宽度沿所述中心区向所述第二边缘区延伸的方向递增。

11.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述至少一个边缘区中的所述相邻栅线隙的间距等于所述中心区中的所述相邻栅线隙的间距，所述中心区中的所述相邻栅线隙间的间距相等。

12.根据权利要求11所述的3D存储器件，其中，所述至少一个边缘区中的所述相邻栅线隙之间的沟道柱数量沿中心区向边缘区延伸的方向递减。