[发明专利]一种加速Nb3

权利要求书

1.一种加速Nb₃Sn线材元素扩散、细化晶粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将Nb₃Sn线材（4）绕制在超导线材临界电流样品骨架（3）上，并将其置于真空热处理炉（2）内；

S2、将真空热处理炉（2）置于无液氦磁体（1）中心，并开启无液氦磁体（1）的制冷系统，直至磁体线圈环境温度降低至4.20K~4.26K；

S3、对Nb₃Sn线材（4）进行热处理，同时调节无液氦磁体（1）的磁场强度，给正在热处理的Nb₃Sn线材（4）提供背景磁场；

所述热处理具体包括：低温热处理阶段、中温热处理阶段及高温热处理阶段，所述低温热处理阶段的温度为205~215℃，处理时间为30h~35h；中温热处理阶段的温度为397~403℃，处理时间为30h~35h；高温热处理阶段的温度为663~668℃，处理时间为30h~35h，所述低温热处理阶段的背景磁场强度为10T~10.5T；中温热处理阶段的背景磁场强度为10.5T~11T；高温热处理阶段磁场强度为11T~12T。

2.根据权利要求1所述的一种加速Nb₃Sn线材元素扩散、细化晶粒的方法，其特征在于，所述步骤S1中Nb₃Sn线材（4）的直径为φ0.820mm~φ1.300mm。

3.根据权利要求1所述的一种加速Nb₃Sn线材元素扩散、细化晶粒的方法，其特征在于，所述步骤还包括：测试步骤S3中进行热处理的Nb₃Sn线材（1）的临界电流值，并将该测试结果与未施加强磁场且按照标准制度进行热处理的样品的临界电流值相比较。

4.根据权利要求1所述的一种加速Nb3Sn线材元素扩散、细化晶粒的方法，其特征在于，未施加强磁场的三个热处理阶段包括低温热处理阶段、中温热处理阶段及高温热处理阶段，所述低温热处理阶段的温度为205~215℃，处理时间为48h~49h；中温热处理阶段的温度为397~403℃，处理时间为48h~49h；高温热处理阶段的温度为663~668℃，处理时间为49h~51h。