[发明专利]一种有机无机杂化光电神经突触器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210609174.2 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115084381A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;孟佳琳;王天宇;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48;G06N3/067 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 无机 光电 神经 突触 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机无机杂化光电神经突触器件，其特征在于，
包括：
高掺杂硅衬底，作为底电极；
有机钙钛矿薄膜，形成在所述底电极上；
无机钙钛矿薄膜，形成在所述有机钙钛矿薄膜上；
顶电极，形成在所述无机钙钛矿薄膜上，
以光源激励和电压激励作为刺激信号，利用有机钙钛矿薄膜和无机钙钛矿薄膜的光电响应耦合，实现高稳定性的光电神经突触特性模拟。
2.根据权利要求1所述的有机无机杂化光电神经突触器件，其特征在于，
所述有机钙钛矿薄膜MAPbI3，MAPbBr3或MAPbCl3。
3.根据权利要求1所述的有机无机杂化光电神经突触器件，其特征在于，
所述无机钙钛矿薄膜CsPbBr3，CsPbCl3或CsPbI3。
4.根据权利要求1所述的有机无机杂化光电神经突触器件，其特征在于，
所述有机钙钛矿薄膜的厚度为40nm，所述无机钙钛矿薄膜的厚度为60nm。
5.一种有机无机杂化光电神经突触器件制备方法，其特征在于，
包括以下步骤：
将高掺杂硅衬底作为底电极；
在所述底电极上形成有机钙钛矿薄膜；
在所述有机钙钛矿薄膜上形成无机钙钛矿薄膜；
在所述无机钙钛矿薄膜上形成顶电极，
以光源激励和电压激励作为刺激信号，利用有机钙钛矿薄膜和无机钙钛矿薄膜的光电响应耦合，实现高稳定性的光电神经突触特性模拟。
6.根据权利要求5所述的有机无机杂化光电神经突触器件制备方法，其特征在于，
所述有机钙钛矿薄膜MAPbI3，MAPbBr3或MAPbCl3。
7.根据权利要求5所述的有机无机杂化光电神经突触器件制备方法，其特征在于，
所述无机钙钛矿薄膜CsPbBr3，CsPbCl3或CsPbI3。
8.根据权利要求5所述的有机无机杂化光电神经突触器件制备方法，其特征在于，
采用匀胶法形成所述有机钙钛矿薄膜和所述无机钙钛矿薄膜。
9.根据权利要求5所述的有机无机杂化光电神经突触器件制备方法，其特征在于，
所述有机钙钛矿薄膜的厚度为40nm，所述无机钙钛矿薄膜的厚度为60nm。
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