[发明专利]用于选择性地执行隔离功能的半导体器件及其布局替代方法

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

基底，其包括沿第一方向延伸的第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域沿垂直于第一方向的第二方向布置；

第一栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；

第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；

第三栅电极，其在第二有源区域上沿第二方向延伸；

第一源极区域和第一漏极区域，其位于第一有源区域上，并且位于第一栅电极的两侧；

第二源极区域和第二漏极区域，其位于第一有源区域上，并且位于第二栅电极的两侧；

第三源极区域和第三漏极区域，其位于第二有源区域上，并且位于第一栅电极的两侧；

第四源极区域和第四漏极区域，其位于第二有源区域上，并且位于第三栅电极的两侧；

第一导线，其电性连接到第一栅电极；

第二导线，其电性连接到第二栅电极、第一源极区域和第二源极区域；

第三导线，其电性连接到第三栅电极、第三源极区域和第四源极区域；和

第四导线，其电性连接到第一漏极区域、第二漏极区域、第三漏极区域和第四漏极区域，

其中，第一电压被提供给第二导线，以及

其中，第二电压被提供给第三导线。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，输入信号被提供给所述第一导线。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述半导体设备是SRAM，以及

其中，所述输入信号是感应放大器使能信号。

4.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述第一有源区域是PMOS区域，以及

其中，所述第二有源区域是NMOS区域。

5.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述第一栅电极和第一源极区域以及第一漏极区域包括第一晶体管，

其中，所述第二栅电极和第二源极区域以及第二漏极区域包括第二晶体管，

其中，所述第一栅电极和第三源极区域以及第三漏极区域包括第三晶体管，

其中，所述第三栅电极和第四源极区域以及第四漏极区域包括第四晶体管，

其中，所述第一漏极区域和第二漏极区域由第一晶体管和第二晶体管共享，以及

其中，所述第三漏极区域和第四漏极区域由第三晶体管和第四晶体管共享。

6.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述第一导线通过第一通孔电性连接到第一栅电极，

其中，所述第二导线通过第二通孔电性连接到第二栅电极、第一源极区域和第二源极区域中的每一个，

其中，所述第三导线通过第三通孔电性连接到第三栅电极、第三源极区域和第四源极区域中的每一个，以及

其中，所述第四导线通过第四通孔电性连接到第一漏极区域、第二漏极区域、第三漏极区域和第四漏极区域。

7.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述基底包括硅基底、锗基底和绝缘体上硅(SOI)基底中的至少一个。