[发明专利]晶圆键合方法和设备、晶圆形变调整设备

权利要求书

1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：

提供第一待键合晶圆对；

对所述第一待键合晶圆对执行第一缩放补偿；所述第一缩放补偿用于纠正所述第一待键合晶圆对中各晶圆在键合前经历多个半导体加工工艺所产生的第一形变误差；

对执行了所述第一缩放补偿的所述键合晶圆对执行第二缩放补偿；所述第二缩放补偿用于纠正在进行所述第一缩放补偿后，所述第一待键合晶圆对中各晶圆间的第二形变误差；

将所述第一待键合晶圆对进行键合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一待键合晶圆对包括第一晶圆和第二晶圆；所述第一晶圆和所述第二晶圆均具有多个用于键合对准的标记点；

所述对所述第一待键合晶圆对进行执行第一缩放补偿，包括：

根据所述第一晶圆中多个标记点的目标位置和实际位置之间的矢量关系，确定第一缩放补偿系数；并根据所述第二晶圆中多个标记点的目标位置和实际位置之间的矢量关系，确定第二缩放补偿系数；

基于所述第一缩放补偿系数和第二缩放补偿系数，调整所述第一晶圆的形变量和/或所述第二晶圆的形变量，以对所述第一待键合晶圆对执行所述第一缩放补偿。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一晶圆经历的第一光刻工艺中，采集所述第一晶圆中多个标记点的目标位置和实际位置；所述第一光刻工艺为所述第一晶圆进行键合前经历的最后一次光刻工艺；在所述第二晶圆经历的第二光刻工艺中，采集所述第二晶圆中多个标记点的目标位置和实际位置；所述第二光刻工艺为所述第二晶圆进行键合前经历的最后一次光刻工艺。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一缩放补偿系数和第二缩放补偿系数，调整所述第一晶圆的形变量和/或所述第二晶圆的形变量，以对所述第一待键合晶圆对执行所述第一缩放补偿，包括：

利用所述第一缩放补偿系数和第二缩放补偿系的差值，调整所述第一晶圆的形变量或所述第二晶圆的形变量，以对所述第一待键合晶圆对执行所述第一缩放补偿。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆设置在第一卡盘上，所述第二晶圆设置在第二卡盘上；所述第一卡盘或所述第二卡盘具有空腔；

所述利用所述第一缩放补偿系数和第二缩放补偿系的差值，调整所述第一晶圆的形变量或所述第二晶圆的形变量，以对所述第一待键合晶圆对执行所述第一缩放补偿，包括：

利用所述第一缩放补偿系数和第二缩放补偿系数的差值，结合第一映射表，调整所述第一卡盘的空腔中的第一充气压力或者调整所述第二卡盘的空腔中的第二充气压力；

其中，通过所述第一充气压力的作用调整第一晶圆的形变量或者通过所述第二充气压力的作用调整所述第二晶圆的形变量；所述第一映射表包括补偿系数与充气压力的对应关系。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一待键合晶圆对包括第一晶圆和第二晶圆；所述第一晶圆和所述第二晶圆均具有多个用于键合对准的标记点；

所述对执行了第一缩放补偿的所述键合晶圆对执行第二缩放补偿，包括：

根据执行了第一缩放补偿的所述第一晶圆中多个标记点的实际位置与执行了第一缩放补偿的所述第二晶圆中多个标记点的实际位置之间的矢量关系，确定第三缩放补偿系数；

基于所述第三缩放补偿系数，调整所述第一晶圆的形变量或所述第二晶圆的形变量，以对所述第一待键合晶圆对执行所述第二缩放补偿。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

分析所述第一待键合晶圆对的键合结果；

当所述键合结果不满足预设条件时，调整所述第三缩放补偿系数得到第四缩放补偿系数，并利用所述第四缩放补偿系数对第二待键合晶圆对执行缩放补偿。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一待键合晶圆对中的各晶圆分别用于形成三维存储器器件的存储单元阵列部分和所述三维存储器器件的外围电路部分。