[发明专利]一种晶圆偏心的检测方法

说明书

本申请公开了一种晶圆偏心的检测方法，涉及半导体领域。一种晶圆偏心的检测方法，包括：刻蚀步骤，选取第一目标采样点和第二目标采样点步骤，确定第三目标采样点步骤，确定第四目标采样点步骤，确定第五目标采样点步骤，确定第五目标采样点所在采样圆的半径值步骤和确定偏差半径步骤。本申请能够解决当前调节方式无法保证晶圆中心与等离子体处理中心对齐的问题。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆偏心的检测方法。

背景技术

在集成电路芯片制造行业中，等离子体处理作为较为常用的方法，一般会要求待处理晶圆处于等离子体的处理中心，以得到较好的均匀性和片间一致性。此外，随着制程关键尺寸的不断缩小，晶圆的边缘缺陷对器件良率的影响日趋严重，采用等离子体处理晶圆边缘的技术难点之一便是如何使晶圆的几何中心与边缘刻蚀腔室中等离子体的处理中心对齐，以改善均匀性。

尽管可以通过改变工艺参数调节晶圆边缘刻蚀的均匀性，但是无法消除晶圆的几何中心与等离子体的处理中心偏移所造成的不均匀性影响。另外，还可以采用一定的手段使晶圆的几何中心与基片载台等硬件的中心在一定程度上对齐，但该种方式中晶圆的几何中心与硬件中心对齐时仍然有可能存在晶圆的几何中心与等离子体的处理中心无法对齐的问题。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种晶圆偏心的检测方法，能够解决当前调节方式无法保证晶圆的几何中心与等离子体的处理中心对齐的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

本申请实施例提供了一种晶圆偏心的检测方法，应用于边缘刻蚀腔室，所述检测方法包括：

刻蚀步骤：将所述晶圆置于所述边缘刻蚀腔室中进行边缘刻蚀工艺，确定已刻蚀晶圆上不同直径的多个采样点的刻蚀速率；

选取第一目标采样点和第二目标采样点步骤：在所述已刻蚀晶圆上选取预设半径值的采样圆为基准采样圆，在所述基准采样圆上选取刻蚀速率最大和刻蚀速率最小的两个采样点，其中一个采样点为第一目标采样点，另一个采样点为第二目标采样点；

确定第三目标采样点步骤：根据所述第一目标采样点的刻蚀速率，以及与所述第二目标采样点位于同一半径上且位于不同半径值的采样圆上的采样点的刻蚀速率，选取出满足第一预设要求的刻蚀速率，将满足所述第一预设要求的刻蚀速率所对应的采样点作为第三目标采样点，确定所述第三目标采样点所在采样圆的半径值；

选取第四目标采样点步骤：根据所述第三目标采样点的刻蚀速率，以及与所述第二目标采样点和所述第三目标采样点位于同一半径上且位于不同半径值的采样圆上的采样点的刻蚀速率，选取出满足第二预设要求的刻蚀速率，并将位于所述第三目标采样点周围且满足所述第二预设要求的刻蚀速率所对应的采样点作为第四目标采样点，确定所述第四目标采样点所在采样圆的半径值；

确定第五目标采样点步骤：在所述第三目标采样点与所述第四目标采样点之间选取与所述第一目标采样点的刻蚀速率相同的第五目标采样点；

确定第五目标采样点所在采样圆的半径值步骤：根据所述第三目标采样点所在采样圆的半径值、所述第四目标采样点所在采样圆的半径值、所述第三目标采样点的刻蚀速率、所述第四目标采样点的刻蚀速率以及第一预设函数，确定所述第五目标采样点所在采样圆的半径值；

确定偏差半径值步骤：以所述第一目标采样点为参考采样点，根据第二预设函数确定所述晶圆的几何中心与所述边缘刻蚀腔室中等离子体的处理中心的偏差半径。

本申请实施例提供的晶圆偏心检测方法，可以在晶圆的边缘刻蚀工艺过程中判断晶圆的几何中心与边缘刻蚀腔室中等离子体的处理中心是否对中，并给出晶圆的几何中心与边缘刻蚀腔室中等离子体的处理中心的偏差，以便于后续教导用于传输晶圆的机械传输机构对晶圆进行纠偏，以提高晶圆在边缘刻蚀腔室中的位置精度，进而改善晶圆边缘刻蚀的均匀性。

附图说明