[发明专利]半导体结构的制造与测量系统

权利要求书

1.一种半导体结构的制造及测量系统，包括：

一处理腔室；以及

一测量元件；

其中该处理腔室经配置以执行多个操作，包括：

形成一第一鳍片阵列在一晶圆的一晶粒的一区块中；以及

形成一第二鳍片阵列在该第一鳍片阵列上；

其中该测量元件经配置以在该晶圆上执行一图案晶圆几何测量，以获得在该第一鳍片阵列的一第一鳍片与该第二鳍片阵列的一第一鳍片之间的一位移，且还经配置以依据该位移而确定该晶圆的一状态。

2.如权利要求1所述的系统，其中该位移是从该晶圆的顶视图所界定。

3.如权利要求1所述的系统，其中该第一鳍片阵列与该第二鳍片阵列具有N个鳍片，其中N为一正整数，其中该测量元件还经配置以：

测量该第一鳍片阵列的该第一鳍片与该第二鳍片阵列的该第一鳍片的一第一重叠比率；

测量该第一鳍片阵列的一第N个鳍片与该第二鳍片阵列的一第N个鳍片的一第二重叠比率；以及

测量该第一鳍片阵列的一第A个鳍片与该第二鳍片阵列的一第A个鳍片的一中心重叠比率；

其中当N为一奇数时，则A等于(N+1)/2，而当N为一偶数时，则A等于N/2。

4.如权利要求3所述的系统，其中该测量元件还经配置以：

借由该中心重叠比率减去该第一重叠比率以获得一第一放大率；

借由该中心重叠比率减去该第二重叠比率以获得一第二放大率；以及

依据该第一放大率以及该第二放大率而获得该位移。

5.如权利要求4所述的系统，其中该测量元件还经配置以：

借由平均该第一放大率与该第二放大率以获得一平均放大率；

其中该测量元件包括一查找表，其经配置以存储该位移与该平均放大率的一对应关系，该测量元件还经配置以依据该查找表而获得该位移。

6.如权利要求1所述的系统，其中当该位移大于一临界值时，则确定该晶粒的该状态为一未通过状态，而当该位移并未大于该临界值时，则确定该晶粒的该状态为一通过状态。

7.如权利要求6所述的系统，其中当该晶圆的该状态为未通过状态时，该处理腔室经配置以从一批晶圆而移除该晶圆。

8.如权利要求6所述的系统，其中当该晶圆的该状态为通过状态时，该处理腔室经配置以将该晶圆保留在一批晶圆中。