[发明专利]一种基于溶剂工程的场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于溶剂工程的场效应晶体管制备方法，其特征在于，在改性硅片上涂覆有机聚合物溶液，退火后制得有机聚合物薄膜，在有机聚合物薄膜上蒸镀电极，制得场效应晶体管；

所述有机聚合物溶液的溶质为PDVT-8，溶剂为CF和BrN的混合溶液；所述CF在溶剂中的体积占比为1％～99％，余量为BrN；

所述改性硅片为表面设置有OTMS层的硅片。

2.根据权利要求1所述的一种通过溶剂制备场效应晶体管的方法，其特征在于，所述CF在溶剂中的体积占比为95％，BrN的体积占比为5％。

3.根据权利要求1所述的一种通过溶剂制备场效应晶体管的方法，其特征在于，所述有机聚合物溶液的浓度为5～30mg/mL。

4.根据权利要求1所述的一种通过溶剂制备场效应晶体管的方法，其特征在于，有机聚合物溶液的制备过程为：将PDVT-8加入至溶剂中，在20～65℃下搅拌2～20小时，静置达到热力学稳定状态后制得有机聚合物溶液。

5.根据权利要求1所述的一种通过溶剂制备场效应晶体管的方法，其特征在于，在改性硅片上涂覆有机聚合物溶液的过程为：将有机聚合物溶液刮涂在硅片上，刮涂过程中刮刀与硅片的角度为10～15°，刮涂速度为50～300mm/min。

6.根据权利要求1所述的一种通过溶剂制备场效应晶体管的方法，其特征在于，退火温度为150～200℃，退火时间为5～30min。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的一种通过溶剂制备场效应晶体管的方法，其特征在于，改性硅片的制备过程为：：

步骤1，清洗硅片；

步骤2，对硅片进行羟基化处理；

步骤3，在硅片表面旋涂OTMS溶液，旋涂后将硅片和氨水同时放入真空干燥器中，抽真空至氨水产生气泡，硅片表面的OTMS进行自主装。

8.根据权利要求7所述的一种通过溶剂制备场效应晶体管的方法，其特征在于，步骤1中，通过超纯水、丙酮和异丙酮清洗硅片；步骤2中，通过食人鱼洗液对硅片进行羟基化处理。

9.根据权利要求7所述的一种通过溶剂制备场效应晶体管的方法，其特征在于，步骤3中，所述OTMS溶液为OTMS被TCE稀释；在硅片表面旋涂的OTMS溶液为10～200μl，旋涂时间为10～120s，旋涂转速为1000～5000rpm。

10.一种通过权利要求1-9任意一项制备方法制得的场效应晶体管，其特征在于，包括依次设置的硅片、有机聚合物薄膜和电极，所述有机聚合物薄膜的尺寸为(2～5)cm×(2～12)cm，厚度为10～40μm。