[发明专利]一种电源钳位静电释放防护电路在审

专利信息
申请号: 202210612137.7 申请日: 2022-05-31
公开(公告)号: CN114928036A 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: 夹丹丹;王伟;程剑涛 申请(专利权)人: 上海艾为电子技术股份有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 郭化雨
地址: 201199 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 静电 释放 防护 电路
【说明书】:

本申请公开了一种电源钳位静电释放防护电路,电源钳位静电释放防护电路连接在电源和地之间,电路包括:侦测电路、触发电路和钳位电路。其中,侦测电路,用于当电源对地的正向静电释放脉冲时,向触发电路发送静电释放信号;触发电路,用于当接收到静电释放信号时,使分压模块导通;钳位电路,用于释放静电释放脉冲;钳位电路包括分压模块和第一晶体管;第一晶体管和分压模块串联在电源和地线之间,分压模块用于降低第一晶体管两端的电压。通过钳位电路中与晶体管串联的分压模块降低了钳位电路中的晶体管上的电压,使得电源正常工作时在晶体管上的电压小于晶体管寄生三极管路径导通的最小电压,从而降低了电源钳位电路闩锁的风险。

技术领域

本申请涉及电源技术领域,尤其涉及一种电源钳位静电释放防护电路。

背景技术

在集成电路的工艺厂生产制备阶段、运输阶段、系统集成阶段以及用户的使用的过程中,都有可能在芯片管脚上发生静电释放(Electro Static discharge,ESD)现象,对芯片造成损坏。这种现象为芯片管脚连接的电源产生瞬间的高压静电脉冲,此类脉冲将会流经芯片的内部电路,使得芯片的内部电路损坏,无法正常的工作。

目前,为了防止ESD损伤芯片的内部电路,可以在电源和地线之间连接一个电源钳位电路对ESD进行防护。但,对于一些电压较高的电源来说,电源在正常工作时的电压可能大于电源钳位电路中晶体管导通的最小电压,因此电源钳位电路存在闩锁的风险,影响电源的正常工作。

发明内容

为了解决上述技术问题,本申请提供了一种电源钳位电路,用于降低电源钳位电路闩锁的风险,从而降低了电源钳位电路影响电源正常工作的风险。

为了实现上述目的,本申请实施例提供的技术方案如下:

本申请实施例提供一种电源钳位静电释放防护电路,电源钳位静电释放防护电路连接在电源和地之间,电路包括:侦测电路、触发电路和钳位电路;

侦测电路,用于当电源对地的正向静电释放脉冲时,向触发电路发送静电释放信号;

触发电路,用于当接收到静电释放信号时,使分压模块导通;

钳位电路,用于释放静电释放脉冲;

钳位电路包括分压模块和第一晶体管;

第一晶体管和分压模块串联在电源和地线之间,分压模块用于降低第一晶体管两端的电压。

作为一种可能的实施方式,分压模块包括:一个第一二极管;

第一二极管与第一晶体管串联;

第一二极管的阳极靠近电源,第一二极管的阴极靠近地线。

作为一种可能的实施方式,分压模块包括:多个第一二极管;所有第一二极管串联;

每个第一二极管的阳极靠近电源,每个第一二极管的阴极靠近地线。

作为一种可能的实施方式,分压模块包括:一个MOS管;

MOS管的栅极和MOS管的漏极连接;MOS管的漏极靠近电源,MOS管的源极靠近地线;MOS管的衬底连接地线。

作为一种可能的实施方式,分压模块包括:一个MOS管;

MOS管的源极和MOS管的衬底连接;MOS管的栅极和MOS管的漏极连接;MOS管的源极靠近电源,MOS管的漏极靠近地线。

作为一种可能的实施方式,分压模块包括:多个MOS管;所有MOS管串联

每个MOS管的栅极和MOS管的漏极连接;每个MOS管的漏极靠近电源,每个MOS管的源极靠近地线;每个MOS管的衬底连接地线。

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