[发明专利]基于“Si器件+宽禁带器件”的四电平双T型变换器在审
| 申请号： | 202210613523.8 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115051578A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 陈剑飞;何怡刚 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00;H02M7/483;H02M7/537;H02M7/797 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 鲁力 |
| 地址： | 430072 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 si 器件 宽禁带 电平 变换器 | ||
1.一种基于“Si器件+宽禁带器件”的四电平双T型变换器，其特征在于，每一相电路由6个开关管器件组成，包括Sx1、Sx2、Sx3、Sx1'、Sx2'、Sx3'，其中，Sx2和Sx2'串联后接中间母线电容C2，Sx1和Sx3'串联后接直流母线电容，Sx3和Sx1'串联后一端接Sx2和Sx2'，另一端接Sx1和Sx3'，x为a、b、c三相。
2.根据权利要求1所述的一种基于“Si器件+宽禁带器件”的四电平双T型变换器，其特征在于，开关管Sx1、Sx3'采用IGBT器件，开关管Sx2、Sx2'、Sx3、Sx1'采用GaN器件或SiC MOSFET。
3.根据权利要求2所述的一种基于“Si器件+宽禁带器件”的四电平双T型变换器，其特征在于，由开关管Sx3、Sx1'组成的双向开关，且共源极连接。
4.根据权利要求2所述的一种基于“Si器件+宽禁带器件”的四电平双T型变换器，其特征在于，由开关管Sx3、Sx1'组成的双向开关，且共漏极连接。
5.根据权利要求1所述的一种基于“Si器件+宽禁带器件”的四电平双T型变换器，其特征在于，其中开关管Sx1、Sx3'采用SiC MOSFET，开关管Sx2、Sx2'、Sx3、Sx1'采用IGBT。
6.根据权利要求5所述的一种基于“Si器件+宽禁带器件”的四电平双T型变换器，其特征在于，由开关管Sx3、Sx1'组成的双向开关，且共发射极连接。
7.根据权利要求5所述的一种基于“Si器件+宽禁带器件”的四电平双T型变换器，其特征在于，需要说明的是，由开关管Sx3、Sx1'组成的双向开关，且共集电极连接。
8.根据权利要求5所述的一种基于“Si器件+宽禁带器件”的四电平双T型变换器，其特征在于，由开关管Sx3、Sx1'组成的双向开关，采用逆阻型IGBT，且并联连接。
9.根据权利要求1所述的一种基于“Si器件+宽禁带器件”的四电平双T型变换器，其特征在于，由开关管Sx3、Sx1'组成的双向开关，Sx3、Sx1'为含一个IGBT和四个二极管，其中，四个二极管串联为一个闭环，IGBT一端与两个串联的二极管连接，另一端与另外两个串联的二极管连接。
10.根据权利要求1所述的一种基于“Si器件+宽禁带器件”的四电平双T型变换器，其特征在于，开关管Sx1、Sx3'采用SiC MOSFET，开关管Sx2、Sx2'、Sx3、Sx1'采用GaN器件或Si MOSFET器件。其中，开关管Sx3、Sx1'共源极连接或者共漏极连接。
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