[发明专利]发光器件及其制备方法在审
申请号: | 202210613870.0 | 申请日: | 2022-06-01 |
公开(公告)号: | CN115000116A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 李惠芸;刘芳;徐晓丽;杨丹;孙雷蒙;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 华引芯(武汉)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/54;H01L33/62 |
代理公司: | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228 | 代理人: | 邓寅杰 |
地址: | 436000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光器件的制备方法,其特征在于,包括:
提供第一衬底,在所述第一衬底中央区域开设扩散引流结构,所述扩散引流结构包括若干通孔和若干凹槽,若干所述通孔间隔排列形成通孔阵列,若干所述凹槽从所述通孔阵列向所述第一衬底的周缘辐射;
在所述第一衬底错开所述扩散引流结构处生长功能结构并进行图形化,形成若干间隔的发光单元;
提供第二衬底,在所述第二衬底形成与所述发光单元一一对应的若干驱动电路;
将所述发光单元和所述驱动电路通过连接层连接形成键合体;
在所述键合体的外周缘点胶,使最外围的发光元件被胶体包围;
在所述胶体围设的内外两侧形成压差,利用压差将所述胶体通过所述扩散引流结构填充进所述发光元件的底部;
固化所述胶体后剥离所述第一衬底。
2.如权利要求1所述发光器件的制备方法,其特征在于,
所述通孔阵列为矩形或十字形,十字形被交叉点分为四条边,
所述凹槽与矩形四条边上的通孔数量一一对应或所述凹槽与十字形四条边上非所述交叉点处的通孔数量一一对应。
3.如权利要求2所述发光器件的制备方法,其特征在于,
矩形同一条边上的通孔对应的凹槽延伸方向相同;
矩形相邻边上的通孔对应的凹槽延伸方向垂直。
4.如权利要求2所述发光器件的制备方法,其特征在于,
十字形同一条边上的通孔对应的凹槽延伸方向相同;
十字形相邻边上的通孔对应的凹槽延伸方向垂直。
5.如权利要求1所述发光器件的制备方法,其特征在于,
所述在胶体围设的内外两侧形成压差,包括:
给所述胶体围设的外侧施压,并同时通过所述通孔给所述胶体围设的内部减压。
6.如权利要求5所述发光器件的制备方法,其特征在于,
所述通过所述通孔给所述胶体围设的内部减压,包括:
在所述通孔背离所述第二衬底的底部持续施加气流。
7.如权利要求6所述发光器件的制备方法,其特征在于,
将所述键合体置于压差装置中,所述压差装置包括相互连接的升压舱和减压舱,所述升压舱封闭所述键合体的侧边,所述通孔背离所述第二衬底的底部露出所述升压舱并朝向所述减压舱设置,所述减压舱包括覆盖所述通孔阵列的流道,给所述升压舱通以气体,同时在所述流道中通以气体。
8.如权利要求1所述发光器件的制备方法,其特征在于,
单个通孔面积不超过单个发光单元面积的一半。
9.如权利要求1所述发光器件的制备方法,其特征在于,所述凹槽的两侧壁与所述第一衬底的表面通过圆角过渡连接或通过倾斜面过渡连接。
10.一种发光器件,其特征在于,通过权利要求1-9任一所述制备方法制得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的