[发明专利]一种用于拉晶炉的热场控制装置及拉晶炉

权利要求书

1.一种用于拉晶炉的热场控制装置，其特征在于，所述热场控制装置包括：

所述拉晶炉的导流筒，所述导流筒固定地设置在所述拉晶炉中；

隔热件，所述隔热件设置在硅熔体与从所述硅熔体拉制出的单晶硅棒之间，以与所述导流筒一起构成用于阻隔从所述硅熔体辐射至所述单晶硅棒的热量的热屏蔽体，其中，所述隔热件由适于机械传动的材料制成；

隔热件驱动器，所述隔热件驱动器用于驱动所述隔热件移动来改变所述热屏蔽体的底部与所述硅熔体的液面之间的间距并相应地改变从所述硅熔体辐射至所述单晶硅棒的热量，以在所述单晶硅棒中获得所需要的轴向温度梯度。

2.根据权利要求1所述的热场控制装置，其特征在于，所述隔热件由不锈钢制成，并且所述隔热件的表面积小于所述导流筒的表面积。

3.根据权利要求1所述的热场控制装置，其特征在于，所述隔热件包括本体和覆盖所述本体的覆层，所述覆层用于防止所述本体的污染性杂质逸出。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的热场控制装置，其特征在于，所述隔热件呈圆筒状，并且所述隔热件的内周壁竖直地延伸。

5.根据权利要求4所述的热场控制装置，其特征在于，所述隔热件的高度小于所述导流筒的高度。

6.根据权利要求5所述的热场控制装置，其特征在于，所述单晶硅棒的直径为300mm至308mm，所述内周壁与所述单晶硅棒的外周壁之间的间距介于20mm至50mm之间。

7.根据权利要求6所述的热场控制装置，其特征在于，所述导流筒的底部与所述硅熔体的液面之间的间距介于20mm至60mm之间。

8.根据权利要求1所述的热场控制装置，其特征在于，所述导流筒包括壳体和设置在所述壳体内部的保温材料。

9.一种拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉包括根据权利要求1至8中任一项所述的热场控制装置。

10.根据权利要求9所述的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉还包括：

坩埚，所述坩埚用于容纳所述硅熔体；

坩埚驱动器，所述坩埚驱动器用于驱动所述坩埚移动以在拉制所述单晶硅棒期间容纳在所述坩埚中的硅熔体的量持续减少的过程中使所述硅熔体的液面的高度保持恒定，

其中，所述热场控制装置还包括：

测量单元，所述测量单元用于测量所述隔热件的移动距离；

确定单元，所述确定单元用于仅根据所述移动距离确定出所述热屏蔽体的底部与所述硅熔体的液面之间的间距。