[发明专利]一种应用于高速高精度模数转换器的宽带输入缓冲器

权利要求书

1.一种应用于高速高精度模数转换器的宽带输入缓冲器，其特征在于，所述宽带输入缓冲器包括：

P管源随器模块，用于对输入信号进行缓冲处理得到第一级缓冲信号；

第一电容电阻网络模块，连接所述P管源随器模块，用于根据所述输入信号产生控制电压，以实现所述P管源随器模块的漏极电压对所述输入信号的跟随；

N管源随器模块，连接所述P管源随器模块，用于对第一级缓冲信号进行缓冲处理得到第二级缓冲信号并输出所述第二级缓冲信号；

第二电容电阻网络模块，连接所述N管源随器模块，用于根据所述第一级缓冲信号产生控制电压，以实现所述N管源随器模块的漏极电压对所述第一级缓冲信号的跟随；

电流源模块，连接所述P管源随器模块和所述N管源随器模块，用于给所述N管源随器模块提供恒定的电流偏置，其中，所述电流源模块通过运算放大器amp使得所述N管源随器模块的漏极电压保持恒定，所述电流源模块通过补偿电容吸收采样电容引起的电流变化；

电流镜模块，连接所述P管源随器模块和所述N管源随器模块，用于将所述N管源随器模块的恒定电流传输至所述P管源随器模块，以使所述P管源随器模块具有恒定的电流。

2.根据权利要求1所述的应用于高速高精度模数转换器的宽带输入缓冲器，其特征在于，所述P管源随器模块包括晶体管M1、晶体管M3，其中：

所述晶体管M1的栅极与信号输入端、所述第一电容电阻网络模块连接，所述晶体管M1的源极与所述电流镜模块连接，所述晶体管M1的漏极与所述晶体管M3的源极连接，所述晶体管M3的栅极与所述第一电容电阻网络模块连接，所述晶体管M3的漏极接地。

3.根据权利要求2所述的应用于高速高精度模数转换器的宽带输入缓冲器，其特征在于，所述晶体管M1、所述晶体管M3均为PMOS管。

4.根据权利要求2所述的应用于高速高精度模数转换器的宽带输入缓冲器，其特征在于，所述第一电容电阻网络模块包括电阻R₁、电容C₁，其中：

所述电阻R₁的第一端连接偏置电压输入端V_b4，所述电阻R₁的第二端连接所述晶体管M3的栅极和所述电容C₁的第一端，所述电容C₁的第二端连接所述晶体管M1的栅极。

5.根据权利要求2所述的应用于高速高精度模数转换器的宽带输入缓冲器，其特征在于，所述N管源随器模块包括晶体管M2、晶体管M4，其中：

所述晶体管M2的栅极与所述晶体管M1的源极连接，所述晶体管M2的源极与所述电流源模块连接，所述晶体管M2的漏极与所述晶体管M4的源极连接，所述晶体管M4的栅极与所述第二电容电阻网络模块连接，所述晶体管M4的漏极与所述电流镜模块连接。

6.根据权利要求5所述的应用于高速高精度模数转换器的宽带输入缓冲器，其特征在于，所述晶体管M2、所述晶体管M4均为NMOS管。

7.根据权利要求5所述的应用于高速高精度模数转换器的宽带输入缓冲器，其特征在于，所述第二电容电阻网络模块包括电阻R₂、电容C₂，其中：

所述电阻R₂的第一端连接偏置电压输入端V_b5，所述电阻R₂的第二端连接所述晶体管M4的栅极和所述电容C₂的第一端，所述电容C₂的第二端连接所述晶体管M2的栅极。