[发明专利]具有横向分布反射器的射频声学器件

权利要求书

1.一种体声波谐振器器件，包括：

压电材料层，其具有上表面和下表面；

第一金属层，其具有设置在所述压电材料层上表面上的下表面、和上表面；

第二金属层，其具有设置在所述压电材料层下表面上的上表面、和下表面；以及

横向分布凸起框架，其包括第一凸起框架，所述第一凸起框架设置在所述第一金属层的上表面上并具有带有锥形部分和非锥形部分的内凸起框架部分、和外凸起框架部分，以及第二凸起框架，其设置在所述第一金属层和所述外凸起框架部分下方但不在所述内凸起框架部分之下方，所述第一凸起框架的内凸起框架部分从所述体声波谐振器器件的中央活动区域以第一距离横向设置，所述第一凸起框架的外凸起框架部分从所述体声波谐振器设备的中央活动区域以第二距离横向设置，所述第二距离大于所述第一距离，所述横向分布凸起框架配置为改善侧模式波的反射并减少主模式到侧模式波的转换。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器器件，其中，所述第一凸起框架是由金属形成。

3.根据权利要求2所述的体声波谐振器器件，其中，所述第二凸起框架是由氧化物形成。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器器件，其中，所述第一凸起框架的外凸起框架部分具有宽度和在所述宽度上基本均匀的厚度。

5.根据权利要求1所述的体声波谐振器器件，其中，所述第二凸起框架包括内部锥形部分和外部非锥形部分。

6.根据权利要求5所述的体声波谐振器器件，其中，所述第二凸起框架的内部侧锥形部分具有10°和60°的锥角。

7.根据权利要求5所述的体声波谐振器器件，其中，所述第二凸起框架的外部非锥形部分具有宽度和在所述宽度上基本均匀的厚度。

8.根据权利要求1所述的体声波谐振器器件，其中，所述第一凸起框架的内凸起框架部分的锥形部分具有5°至45°的锥角。

9.根据权利要求1所述的体声波谐振器器件，进一步包括：电介质层，其设置在所述第一金属层的上表面上，并定义了围绕所述中央活动区域的凹陷框架区域。

10.根据权利要求1所述的体声波谐振器器件，其中，所述体声波谐振器器件不包括凹陷框架区域。

11.根据权利要求1所述的体声波谐振器器件，其中，所述第一凸起框架的内凸起框架部分的锥形部分的宽度小于所述第一凸起框架的内凸起框架部分的非锥形部分的宽度。

12.根据权利要求1所述的体声波谐振器器件，其中，所述第一凸起框架的内凸起框架部分的锥形部分的宽度大于所述第一凸起框架的内凸起框架部分的非锥形部分的宽度。

13.根据权利要求1所述的体声波谐振器器件，其中，所述第二凸起框架具有与所述第一金属层的下表面接触的上表面。

14.根据权利要求1所述的体声波谐振器器件，其中，所述第二凸起框架具有与所述第二金属层的上表面接触的下表面。

15.根据权利要求14所述的体声波谐振器器件，其中，所述第二凸起框架具有与所述压电材料层接触的上表面。

16.根据权利要求1所述的体声波谐振器器件，其中，所述第二凸起框架具有与所述压电材料层接触的上表面。

17.根据权利要求16所述的体声波谐振器器件，其中，所述第二凸起框架具有与所述压电材料层接触的下表面，所述第二凸起框架将所述压电材料层分为上压电材料层和下压电材料层。