[发明专利]一种第三代半导体器件封装用马来酰亚胺树脂基组合物

权利要求书

1.一种第三代半导体器件封装用马来酰亚胺树脂基组合物，其特征在于，所述组合物包括苯甲烷马来酰亚胺寡聚物、多官能环氧树脂、芳香胺固化剂、固化促进剂、无机填料和丁香酚烯丙基醚聚硅氧烷；

所述丁香酚烯丙基醚聚硅氧烷具有以下式(6)所示的结构：

其中，m和n为0～30范围内的整数；

所述多官能环氧树脂和苯甲烷马来酰亚胺寡聚物的质量比为1:1～1:5；

所述芳香胺固化剂的含量为多官能环氧树脂和苯甲烷马来酰亚胺寡聚物二者总量的5～15wt％；

所述丁香酚烯丙基醚聚硅氧烷的含量为苯甲烷马来酰亚胺寡聚物、多官能环氧树脂、芳香胺固化剂三者总量的1～15wt％；

所述固化促进剂的含量为苯甲烷马来酰亚胺寡聚物、多官能环氧树脂、芳香胺固化剂三者总量的0.5～5wt％；

所述无机填料的含量为马来酰亚胺树脂基组合物总量的70～90wt％；

所述丁香酚烯丙基醚聚硅氧烷制备方法如下：

步骤1，以八甲基环四硅氧烷、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷为原料，在阳离子引发剂作用下，发生聚合反应得到含氢聚硅氧烷；

步骤2，将上述步骤1制备的含氢聚硅氧烷与丁香酚在催化剂或辐射条件下反应得到丁香酚基聚硅氧烷；

步骤3，将上述步骤2制备的丁香酚基聚硅氧烷与烯丙基卤代烃在缚酸剂存在的条件下反应得到丁香酚烯丙基醚聚硅氧烷。

2.根据权利要求1所述的一种第三代半导体器件封装用马来酰亚胺树脂基组合物，其特征在于，所述多官能环氧树脂和苯甲烷马来酰亚胺寡聚物的质量比为1:1～1:3；

所述芳香胺固化剂的含量为所述多官环氧树脂和所述苯甲烷马来酰亚胺寡聚物二者总量的10～15wt％；

所述丁香酚烯丙基醚聚硅氧烷的含量为所述苯甲烷马来酰亚胺寡聚物、所述多官能环氧树脂、所述芳香胺固化剂三者总量的3～10wt％；

所述固化促进剂的含量为所述苯甲烷马来酰亚胺寡聚物、所述多官能环氧树脂、所述芳香胺固化剂三者总量的0.5～3wt％；

所述无机填料的含量为马来酰亚胺树脂基组合物总量的75～85wt％。

3.根据权利要求1所述的一种第三代半导体器件封装用马来酰亚胺树脂基组合物，其特征在于，步骤1中，所述阳离子引发剂包括质子酸类、路易斯酸类或其他阳离子引发剂；所述其他阳离子引发剂包括碘、氧鎓离子、高氯酸盐、环庚三烯盐和三苯基甲基盐；

步骤2中，所述催化剂包括有机碱类化合物、有机过氧化物、偶氮类化合物、贵金属化合物；

步骤2中，所述辐射条件包括紫外线、阿尔法射线、贝塔射线、伽马射线、X射线、中子射线；

步骤3中，所述烯丙基卤代烃包括烯丙基碘、烯丙基氯、烯丙基溴、烯丙基氟；

步骤3中，所述缚酸剂包括三乙胺、吡啶、N,N-二异丙基乙胺、4-二甲氨基吡啶、三乙醇胺、四丁基溴化铵、碳酸钾、碳酸铵、碳酸钠、氢氧化钠、氢氧化钙、氢氧化钾、氢氧化铁、碳酸钙、碳酸铯、磷酸钠、醋酸钠。

4.根据权利要求1或2所述的一种第三代半导体器件封装用马来酰亚胺树脂基组合物，其特征在于，所述多官能环氧树脂包括以下式(2)所示化学结构的物质：

式(2)中R₁为氢原子或有1～6个碳原子的烷基；R'为氢原子、甲基或乙基；n为0～6的整数。

5.根据权利要求1或2所述的一种第三代半导体器件封装用马来酰亚胺树脂基组合物，其特征在于，所述苯甲烷马来酰亚胺寡聚物，至少含有两个马来酰亚胺基团，包括以下式(1)所示化学结构的物质：

式(1)中不同位置的R₁各自独立地为氢原子、含有1～4个碳原子的烃基或卤素原子；n为0～15的整数。