[发明专利]一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法

权利要求书

1.一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，包括下列具体步骤：

a)单面抛光片检验：将单面抛光片进行检验，将检验出背面不良的晶片进行标记；

b)晶片清洗：采用碱性清洗溶液对步骤a)标记的晶片进行清洗，降低晶片表面颗粒脏污，同时可减少后续加工裂片率；

c)晶片贴膜：采用厚度为80~150μm的PET复合膜对步骤b)清洗后的晶片进行贴膜，获得抛光面受保护的贴膜片；

d)贴膜片粘合；使用黏贴剂将两片步骤c）获得的贴膜片的贴膜面粘合，获得待研磨的粘合工件；

e)粘合工件研磨；对步骤d)获得的粘合工件进行双面研磨加工，加工的同时将研磨液喷在粘合工件上，研磨过程中所用研磨液的各成分质量分数为水40%~50%，二氧化硅35%~45%，乙二胺四乙酸盐5%~15%，氧化半胱氨酸5%~15%，三聚磷酸钠5%~10%，并使加工后粘合工件的晶片背面粗糙度控制在0.1~0.3μm；

f)粘合工件清洗并脱膜：采用酸性清洗溶液将步骤e)研磨后的粘合工件进行清洗，并将清洗后的粘合工件放入热水中浸泡脱膜。

2.如权利要求1所述的铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，所述步骤a)中，在亮度800~1200Lux黄色日光灯下进行肉眼检验。

3.如权利要求1所述的铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，所述步骤b)中，采用超声清洗方式，超声频率为28~200khz，清洗温度35~45℃，清洗时长25~40min，所用碱性清洗溶液由水和碱性清洗剂稀释后形成，稀释后溶液质量分数为3.3%~10%，组成碱性清洗剂的各成分质量分数为去离子水50~60%，无机碱8~20%，螯合剂10~15%，无机助剂5~12%，有机碱5~8%。

4.如权利要求1所述的铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，所述步骤c）中，晶片进行贴膜的具体过程如下：第一阶段，将晶片移动到定位寻边装置上，通过光学仪器进行晶圆的圆心定位和寻边；第二阶段，完成圆心定位与寻边后的晶片移动到贴膜平台，将膜的张力控制在-100~-180Mpa，将膜通过罗拉挤压黏贴到晶片表面；第三阶段，刀片以1800~2200pps的速度沿着晶片参考边位置将膜切割，以3400~3600pps的速度沿着晶片圆弧位置切割，刀片切割温度60~80℃。

5.如权利要求1所述的铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，所述步骤d)中，黏贴剂由双组分环氧树脂胶A剂和双组分环氧树脂胶B剂组成，其中，组成双组份环氧树脂胶A剂的各成分质量分数为环氧树脂60%~70%、增韧塑剂2%~10%、填料15%~30%、发泡剂5%~15%；组成双组份环氧树脂胶B剂的各成分质量分数为聚硫醇30%~45%、改性氨30%、填料15%~30%、发泡助剂10%，两者质量比分别为1~3：1，搅拌均匀得到双组份环氧树脂胶。

6.如权利要求1所述的铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，所述步骤e）中，采用球墨铸铁为磨盘，磨料为由GC#2000~2500绿碳化硅粉制成的碳化硅溶液，游星轮采用不锈钢材质，对粘合工件进行双面研磨的具体过程如下：第一阶段，手动模式下将铌酸锂粘合工件放入游星轮工位中，将上定盘下降进行双面研磨前准备工作；第二阶段，研磨液通过设备管路喷洒在游星轮与粘合工件上，上定盘转速3rpm~8rpm，下定盘转速10rpm~25rpm，中心齿轮转速5rpm~10rpm三者同时旋转进行加工；第三阶段，粘合工件在游星轮与研磨液的共同作用下进行双面研磨，压力3~6Kg/片，总研磨量10~20μm。

7.如权利要求1所述的铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，所述步骤f)中，所用酸性清洗溶液由将水和酸性清洗剂稀释后形成，稀释后溶液质量分数为3.3%~10%，组成酸性清洗剂的各成分质量分数为超纯水24~54%，A-羟基羧酸10~15%，聚丙烯酸10~20%，聚氧乙烯月桂醚羧酸5~10%，1,2,3-丙三醇10~15%，D-葡萄糖5~20%，低聚物癸基辛基苷5~20%，动物胶1~5%。

8.如权利要求1所述的铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，所述步骤f)中，采用超声清洗方式，超声频率为28~200Khz，清洗温度25~35℃，清洗时长30~50min，将清洗后粘合工件放入30~40℃的热水中浸泡20~40min，将粘合工件的PET复合膜剥离。