[发明专利]垂直发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种垂直发光二极管，其特征在于，包括：

第一衬底；

外延层，位于所述第一衬底的第一表面，包括由上至下依次设置的第一半导体层、发光层及第二半导体层；

ODR反射层，位于所述外延层与所述第一衬底的第一表面之间，包括由上至下依次设置的绝缘反射层和金属反射层，所述金属反射层、所述绝缘反射层及所述外延层构成MIS电容结构；以及，

彼此绝缘的第一电极、第二电极及第三电极，分别与所述金属反射层、所述第二半导体层及所述第一半导体层电性连接。

2.如权利要求1所述的垂直发光二极管，其特征在于，还包括：

若干凹槽，贯穿所述第二半导体层及所述发光层并露出所述第一半导体层；

若干第一穿孔，贯穿所述ODR反射层并露出所述第二半导体层；

若干第二穿孔，贯穿所述ODR反射层并连通相应的所述凹槽；以及，

介质层，位于所述ODR反射层与所述第一衬底的第一表面之间，并至少覆盖所述第一穿孔和所述第二穿孔的侧壁对应所述金属反射层的部分，至少用于电性隔离所述第一电极及所述第二电极。

3.如权利要求2所述的垂直发光二极管，其特征在于，还包括：

第一台阶，贯穿所述外延层并露出所述金属反射层，所述第一电极位于所述第一台阶的下台阶面，并与所述金属反射层电性连接；

第一电流扩展层，位于所述介质层内并穿过部分厚度的所述介质层填充所述第一穿孔，以与所述第二半导体层电性连接；

第二台阶，贯穿所述外延层、所述ODR反射层及部分厚度的所述介质层并露出所述第一电流扩展层，所述第二电极位于所述第二台阶的下台阶面，并与所述第一电流扩展层电性连接；以及，

第二电流扩展层，位于所述介质层与所述第一衬底的第一表面之间，穿过所述介质层并填充所述第二穿孔和所述凹槽后与所述第一半导体层电性连接，所述第三电极位于所述第一衬底的第二表面，并通过所述第一衬底与所述第二电流扩展层电性连接。

4.如权利要求3所述的垂直发光二极管，其特征在于，所述介质层包括依次堆叠在所述金属反射层上的第一介质层及第二介质层，所述第一电流扩展层位于所述第一介质层与所述第二介质层之间，贯穿所述第一介质层并填充所述第一穿孔后与所述第二半导体层电性连接，所述第二电流扩展层位于所述第二介质层与所述第一衬底的第一表面之间，贯穿所述第二介质层及所述第一介质层并填充所述第二穿孔和所述凹槽后与所述第一半导体层电性连接。

5.如权利要求3所述的垂直发光二极管，其特征在于，还包括：

第一欧姆接触层，位于所述第二半导体层靠近所述第一衬底的一面上并位于每个所述第一穿孔内，所述第一电流扩展层填充所述第一穿孔后通过所述第一欧姆接触层与所述第二半导体层电性连接。

6.如权利要求5所述的垂直发光二极管，其特征在于，所述第一欧姆接触层的材料为金属材料；和/或，所述第一欧姆接触层的厚度为10nm～200nm。

7.如权利要求5所述的垂直发光二极管，其特征在于，所述第一欧姆接触层的材料为透明导电材料，且所述第一欧姆接触层靠近所述第一衬底的一面上还覆盖有刻蚀保护层；和/或，所述第一欧姆接触层的厚度为10nm～200nm。

8.如权利要求5所述的垂直发光二极管，其特征在于，还包括：

第二欧姆接触层，位于所述第一半导体层靠近所述第一衬底的一面上并位于每个所述凹槽内，所述第二电流扩展层填充所述第二穿孔和所述凹槽后通过所述第二欧姆接触层与所述第一半导体层电性连接。

9.如权利要求3所述的垂直发光二极管，其特征在于，所述第二电流扩展层与所述第一衬底的第一表面之间还具有键合层。

10.如权利要求3所述的垂直发光二极管，其特征在于，所述第一电流扩展层靠近所述第一衬底的一面与所述介质层之间具有第一粘附层；和/或，所述第一电流扩展层和/或所述第二电流扩展层的远离所述第一衬底的一面与所述介质层之间具有第二粘附层。