[发明专利]一种获取改善环保型银镍触头抗熔焊性能最佳掺杂材料的方法在审
申请号: | 202210627852.8 | 申请日: | 2022-06-06 |
公开(公告)号: | CN114974443A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 王景芹;张颖 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | G16C10/00 | 分类号: | G16C10/00;G16C20/10;G16C20/30 |
代理公司: | 天津市鼎拓知识产权代理有限公司 12233 | 代理人: | 刘雪娜 |
地址: | 300401 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 获取 改善 环保 型银镍触头抗 熔焊 性能 最佳 掺杂 材料 方法 | ||
1.一种获取改善环保型银镍触头抗熔焊性能最佳掺杂材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
构建Ag/Ni界面模型,设为第一界面模型;
选取两种掺杂元素,设为第一元素和第二元素;
分别用所述第一元素和所述第二元素置换所述第一界面模型中的Ni原子,得到第二界面模型和第三界面模型,所述第二界面模型为掺杂所述第一元素的界面模型,所述第三界面模型为掺杂所述第二元素的界面模型;
优化所述第一界面模型、所述第二界面模型和所述第三界面模型,得到第一稳定结构、第二稳定结构、第三稳定结构,所述第一稳定结构为所述第一界面模型总能量最低的结构,所述第二稳定结构为所述第二界面模型总能量最低的结构,所述第三稳定结构为所述第三界面模型总能量最低的结构;
分别计算所述第一稳定结构、所述第二稳定结构、所述第三稳定结构的界面分离功、界面能;
分别计算所述第一稳定结构、所述第二稳定结构和所述第三稳定结构的态密度,得到第一态密度图、第二态密度图和第三态密度图,所述第一态密度图对应于所述第一稳定结构,所述第二态密度图对应于所述第二稳定结构,所述第三态密度图对应于所述第三稳定结构;
分别计算所述第一稳定结构、所述第二稳定结构和所述第三稳定结构的布居,得到第一键重叠布居数据、第二键重叠布居数据和第三键重叠布居数据;
结合所述界面分离功、所述界面能、所述第一态密度图、所述第二态密度图和所述第三态密度图,分析所述第一键重叠布居数据、所述第二键重叠布居数据和所述第三键重叠布居数据,得到最佳掺杂材料。
2.根据权利要求1所述的一种获取改善环保型银镍触头抗熔焊性能最佳掺杂材料的方法,其特征在于,构建所述第一界面模型包括以下步骤:
获取第一晶胞和第二晶胞,所述第一晶胞为Ag晶胞,所述第二晶胞为Ni晶胞;
优化所述第一晶胞和所述第二晶胞,得到第三晶胞和第四晶胞,所述第三晶胞为所述第一晶胞优化后得到的最稳定晶胞结构,所述第四晶胞为所述第二晶胞优化后得到的最稳定晶胞结构;
分别获取所述第三晶胞的第一晶面和所述第四晶胞的第二晶面,并结合所述第一晶面与所述第二晶面建立所述第一界面模型。
3.根据权利要求1所述的一种获取改善环保型银镍触头抗熔焊性能最佳掺杂材料的方法,其特征在于,在所述第一界面模型、所述第二界面模型和所述第三界面模型中均加入的真空层。
4.根据权利要求2所述的一种获取改善环保型银镍触头抗熔焊性能最佳掺杂材料的方法,其特征在于,优化所述第一界面模型、所述第二界面模型和所述第三界面模型,得到第一稳定结构、第二稳定结构、第三稳定结构,包括以下步骤:
设定赝势、泛函、收敛精度;
用Materials Studio软件的CASTEP模块分别对所述第一界面模型、所述第二界面模型和所述第三界面模型进行优化,得到第一稳定结构、第二稳定结构、第三稳定结构。
5.根据权利要求4所述的一种获取改善环保型银镍触头抗熔焊性能最佳掺杂材料的方法,其特征在于,优化所述第一晶胞和所述第二晶胞,得到第三晶胞和第四晶胞,包括以下步骤:
设定赝势、泛函、收敛精度;
用Materials Studio软件的CASTEP模块分别对所述第一晶胞和所述第二晶胞进行优化,得到第三晶胞和第四晶胞。
6.根据权利要求2所述的一种获取改善环保型银镍触头抗熔焊性能最佳掺杂材料的方法,其特征在于,所述第一晶面为(110)面,所述第二晶面为(211)面。
7.根据权利要求5所述的一种获取改善环保型银镍触头抗熔焊性能最佳掺杂材料的方法,其特征在于,所述赝势为超软赝势。
8.根据权利要求5所述的一种获取改善环保型银镍触头抗熔焊性能最佳掺杂材料的方法,其特征在于,所述泛函为广义梯度近似泛函。
9.根据权利要求5所述的一种获取改善环保型银镍触头抗熔焊性能最佳掺杂材料的方法,其特征在于,所述收敛精度为“fine”。
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