[发明专利]基于纳米花状硫化铟作为隔膜修饰材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种基于纳米花状硫化铟材料的修饰隔膜，其特征在于，其制备过程包括：将纳米花状硫化铟与导电剂、粘结剂在有机溶剂中均匀混和成浆料，涂覆在隔膜上，烘干即可；

所述纳米花状硫化铟的制备方法，包括以下步骤：

S1将十六烷基三甲基溴化铵加入乙醇中超声混合，再加入硫代乙酰胺和氯化铟制备前驱体溶液A；

S2将步骤S1所得前驱体溶液A，加热冷凝回流，反应后冷却、离心、烘干。

2.根据权利要求1所述的一种基于纳米花状硫化铟材料的修饰隔膜，其特征在于，制备过程中所述纳米花状硫化铟与导电剂、粘结剂混合时，各物质按质量百分比计为：纳米花状硫化铟70％-80％、导电剂10％-20％、粘结剂10％-20％。

3.根据权利要求1所述的一种基于纳米花状硫化铟材料的修饰隔膜，其特征在于，制备过程中所述导电剂为Super P，KJ600中的一种，所述粘结剂为PVDF，所述溶剂为N-甲基吡咯烷酮。

4.根据权利要求1所述的一种基于纳米花状硫化铟材料的修饰隔膜，其特征在于，纳米花状硫化铟制备步骤S1所述十六烷基三甲基溴化铵乙醇溶液的质量浓度(m/v)为0.2-0.7mg/mL，硫代乙酰胺乙醇溶液的质量浓度(m/v)为1-5mg/mL，氯化铟乙醇溶液的质量浓度(m/v)为2-6mg/mL。

5.根据权利要求1所述的一种基于纳米花状硫化铟材料的修饰隔膜，其特征在于，纳米花状硫化铟制备步骤S1所述超声时间为0.2h-0.5h。

6.根据权利要求1所述的一种基于纳米花状硫化铟材料的修饰隔膜，其特征在于，纳米花状硫化铟制备步骤S2所述反应温度为90℃-100℃，时间为2h-5h。

7.根据权利要求1所述的一种基于纳米花状硫化铟材料的修饰隔膜，其特征在于，纳米花状硫化铟制备步骤S2所述离心采用水和无水乙醇，转速为7000rpm-9000rpm，离心时间5min-9min，所述烘干温度为60℃-80℃。

8.一种锂硫电池，其特征在于，包括权利要求1-7任一所述基于纳米花状硫化铟材料的修饰隔膜。

9.权利要求1中所述纳米花状硫化铟在锂硫电池中作为电催化剂的应用。