[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具有层叠构造，所述层叠构造由下述部分构成：

第1导电型的第1半导体层；

第2导电型的第2半导体层，其形成于所述第1半导体层的表面；

所述第1导电型的第3半导体层，其形成于所述第1半导体层的背面；

所述第1导电型的第4半导体层及所述第2导电型的第5半导体层，它们在俯视观察时彼此相邻地或相邻部分重叠地形成于所述第3半导体层的背面，或形成于所述第1半导体层及所述第3半导体层的背面；

第1电极，其以覆盖所述第2半导体层的表面的方式形成；以及

第2电极，其以覆盖所述第4半导体层及所述第5半导体层的背面的方式形成，

所述第4半导体层的在所述层叠构造中的层叠高度位置与所述第5半导体层的在所述层叠构造中的层叠高度位置不同，

所述第2半导体层与所述第4半导体层及所述第5半导体层在俯视时重叠，

所述层叠构造构成RFC二极管，其中，RFC的含义是释放阴极场，

包含所述第4半导体层的所述层叠构造中的所述第1半导体层的厚度与包含所述第5半导体层的所述层叠构造中的所述第1半导体层的厚度不同，

包含所述第4半导体层的所述层叠构造中的所述第1半导体层的厚度与包含所述第5半导体层的所述层叠构造中的所述第1半导体层的厚度之差和所述第4半导体层与所述第5半导体层之间的高低差是相同的。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第5半导体层的在所述层叠构造中的层叠高度位置与所述第4半导体层的在所述层叠构造中的层叠高度位置相比位于所述第1半导体层侧，且所述第4半导体层及所述第5半导体层的所述相邻部分重叠地形成，

在所述相邻部分重叠的部位处的所述第5半导体层与所述第4半导体层之间形成有所述第5半导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第4半导体层的在所述层叠构造中的层叠高度位置与所述第5半导体层的在所述层叠构造中的层叠高度位置相比位于所述第1半导体层侧，且所述第4半导体层及所述第5半导体层的所述相邻部分重叠地形成，

在所述相邻部分重叠的部位处的所述第5半导体层与所述第4半导体层之间形成有所述第4半导体层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具有第3电极，该第3电极形成于所述第4半导体层与所述第2电极之间，

包含所述第4半导体层的所述层叠构造中的所述第1半导体层的厚度与包含所述第5半导体层的所述层叠构造中的所述第1半导体层的厚度之差是将所述第4半导体层与所述第5半导体层之间的高低差、所述第3电极的厚度进行合计后的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

包含所述第5半导体层的所述层叠构造中的所述第1半导体层的厚度比包含所述第4半导体层的所述层叠构造中的所述第1半导体层的厚度薄。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

包含所述第4半导体层的所述层叠构造中的所述第1半导体层的厚度比包含所述第5半导体层的所述层叠构造中的所述第1半导体层的厚度薄。