[发明专利]一种制备基于金刚石表面终端的异质结的方法

权利要求书

1.一种制备基于金刚石表面终端的异质结的方法，其特征在于：先在衬底（11）上形成金刚石层（21）；再在金刚石层（21）上形成第一绝缘层（31）；然后穿过第一绝缘层（31）在金刚石层（21）的表面通过插层形成表面终端（22）；最后在第一绝缘层（31）上形成第二绝缘层（32），其中，所述第一绝缘层（31）与金刚石层（21）之间化学键作用较弱或无化学键作用，所述的第一绝缘层（31）的厚度小于5nm，容许粒子穿透，进而插层形成表面终端（22）。

2.根据权利要求1所述的一种制备基于金刚石表面终端的异质结的方法，其特征在于：所述表面终端（22）为氢终端、氧终端、或，氟终端中的一种或多种组合。

3.根据权利要求1所述的一种制备基于金刚石表面终端的异质结的方法，其特征在于，所述表面终端（22）通过微波等离子体处理，粒子穿透重组，自由基辐照，电化学反应，或气体氛围退火中的一种或多种组合方法在第一绝缘层（31）与金刚石层（21）之间插层形成。

4.根据权利要求1所述的一种制备基于金刚石表面终端的异质结的方法，其特征在于：所述第一绝缘层（31）/第二绝缘层（32）的形成方法为外延法或机械剥离法直接形成于金刚石层（21）/第一绝缘层（31）上，或者，通过外延法或机械剥离法形成于新取用的衬底上，再通过干法或湿法转移至金刚石层（21）/第一绝缘层（31）上。

5.根据权利要求1所述的一种制备基于金刚石表面终端的异质结的方法，其特征在于：所述的第二绝缘层（32）的厚度为1nm-50μm，所述第二绝缘层（32）为单种材料形成的第二绝缘层或不同种材料无特定顺序的采用叠加的方式形成组合状的第二绝缘层。

6.根据权利要求1所述的一种制备基于金刚石表面终端的异质结的方法，其特征在于：所述金刚石层（21）的厚度范围1nm-500μm，杂质浓度小于1ppm。

7.根据权利要求1所述的一种制备基于金刚石表面终端的异质结的方法，其特征在于，所述金刚石层（21）的形成方法为使用高温高压法、化学气相沉积法、或相变法直接在衬底（11）上形成；或通过高温高压法、化学气相沉积法、或相变法形成于新取用的衬底上，再通过干法或湿法转移技术转移至衬底（11）上。