[发明专利]阵列基板及显示面板在审

专利信息
申请号: 202210634999.X 申请日: 2022-06-07
公开(公告)号: CN114725205A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 邬可荣;李荣荣 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L27/12;G02F1/1362
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 汪海琴
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括基层及薄膜晶体管组,所述薄膜晶体管组设于所述基层上,所述薄膜晶体管组包括两个薄膜晶体管,两个所述薄膜晶体管沿垂直于所述基层方向叠层设置;每个所述薄膜晶体管包括栅极层、有源层、源极和漏极,两个所述薄膜晶体管的两个所述栅极层沿垂直于所述基层方向上间隔设置,其特征在于,所述有源层、所述源极及所述漏极均设于两个所述栅极层之间;每个所述薄膜晶体管的所述栅极层沿垂直于所述基层方向上至少能够覆盖对应的所述有源层。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层的两端分别与所述源极及所述漏极连接;

在同一个所述薄膜晶体管中,所述源极与所述有源层连接的一端至少部分遮挡于所述有源层朝向所述栅极层的一侧;

和/或,所述漏极与所述有源层连接的一端至少部分遮挡于所述有源层朝向所述栅极层的一侧。

3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极层的至少一个侧面为倾斜面或曲面;

所述栅极层沿平行于所述基层方向上的截面为第一截面;同一个所述薄膜晶体管中,所述栅极层的所述第一截面的面积沿靠近所述有源层的方向逐渐增大。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极层沿所述源极与所述漏极的分布方向上的相对两侧为倾斜面或斜面。

5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层的两端分别与所述源极及所述漏极连接;所述有源层的两端分别遮挡于所述源极及所述漏极分别朝向所述栅极层的一侧上。

6.如权利要求1至5任一项所述的阵列基板,其特征在于,两组所述薄膜晶体管分别为第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极层、第一有源层、第一漏极及第一源极;所述第二薄膜晶体管包括第二栅极层、第二有源层、第二漏极及第二源极;

所述第一源极与所述第一漏极同层且间隔设置,所述第一有源层设于所述第一源极与所述第一漏极之间的位置,并分别与所述第一源极及所述第一漏极连接;

所述第二源极与所述第二漏极同层且间隔设置,所述第二有源层设于所述第二源极与所述第二漏极之间的位置,并分别与所述第二源极及所述第二漏极连接。

7.如权利要求1、3、4或5任一项所述的阵列基板,其特征在于,两组所述薄膜晶体管分别为第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极层、第一有源层、第一漏极及第一源极;所述第二薄膜晶体管包括第二栅极层、第二有源层、第二漏极及第二源极;

所述第一源极、所述第一漏极、第二源极及第二漏极同层设置;

所述第一源极与所述第一漏极间隔设置;所述第一有源层设于所述第一源极与所述第一漏极之间,并分别与所述第一源极及所述第一漏极连接;

所述第二源极及所述第二漏极分别设于所述第一源极与所述第一漏极的相对外侧;所述第二有源层与所述第二源极沿垂直于所述基层方向上间隔设置。

8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第二有源层与所述第二源极之间设有第一间隔层,所述第一间隔层上开设有两个过孔,两个所述过孔分别用于所述第二有源层与所述第二源极及所述第二漏极的连接。

9.如权利要求1至5任一项所述的阵列基板,其特征在于,两组所述薄膜晶体管分别为第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极层、第一有源层、第一漏极及第一源极;所述第二薄膜晶体管包括第二栅极层、第二有源层、第二漏极及第二源极;

所述第一源极、所述第一漏极同层且间隔设置,所述第一有源层与所述第一源极沿垂直于所述基层方向上间隔设置;

所述第二源极、所述第二漏极同层且间隔设置,所述第二有源层与所述第二源极沿垂直于所述基层方向上间隔设置。

10.显示面板,包括阵列基板、封装层和发光器件层,所述阵列基板、所述发光器件层及所述封装层依次层叠设置,其特征在于,所述阵列基板采用如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。

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