[发明专利]一种多主栅背接触异质结太阳电池及其制作方法

说明书

本发明涉及多主栅背接触异质结太阳电池，它包括半导体基板、设置在半导体基板的第一主面上交替设置的多个第一半导体区和第二半导体区、设置在各个第一半导体区和第二半导体区之间的隔离槽、水平设置在各个第一半导体区上的一列以上第一绝缘层阵列、水平设置在各个第二半导体区上的一列以上第二绝缘层阵列、与各个第二绝缘层阵列相同水平位置进行对应设置的一列以上第一可焊接主栅线以及与各个第一绝缘层阵列相同水平位置进行对应设置的一列以上第二可焊接主栅线；第一绝缘层阵列与第二绝缘层阵列从上到下错开设置。本发明的目的在于提供一种多主栅背接触异质结太阳电池，在显著降低细栅线的导电性要求的同时，实现多主栅结构，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种多主栅背接触异质结太阳电池及其制作方法。

背景技术

近年来，太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，太阳能电池发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。高效率太阳能电池是未来产业的趋势，在提升单位面积的发电瓦数的同时，还能降低成本，从而提升模块发电的附加价值。

作为高效率太阳能电池之一的背接触电池，其将受光面的电极全部移到背面，使得受光面的面积最大化，从而提高电池的转换效率，具有代表性的是美国的SUN POWER。

然而，高效电池技术在现阶段都有制造成本较高的问题。比如，背接触电池采用铜电镀技术有相应的含铜废水处理和环境保护的问题，且需要较大的生产场地，不利于规模量产推广。因此，有必要研发出一种适用于背接触电池的低成本金属电极结构，以推动高效背接触电池规模化量产。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种多主栅背接触异质结太阳电池，在显著降低细栅线的导电性要求的同时，实现多主栅结构，降低生产成本。

本发明的目的之一在于提供一种多主栅背接触异质结太阳电池的制作方法，可以极大地降低金属化成本，规避较复杂的湿法铜电镀方案，更加有利于背接触异质结太阳能电池技术的生产、应用。

本发明的目的通过如下技术方案实现：

一种多主栅背接触异质结太阳电池，它包括半导体基板、设置在半导体基板的第一主面上且从左到右交替设置的多个第一半导体区和第二半导体区、设置在各个第一半导体区和第二半导体区之间的隔离槽、水平设置在各个第一半导体区上的一列以上第一绝缘层阵列、水平设置在各个第二半导体区上的一列以上第二绝缘层阵列、电连接各个第一半导体区且与各个第二绝缘层阵列相同水平位置进行对应设置的一列以上第一可焊接主栅线以及电连接各个第二半导体区且与各个第一绝缘层阵列相同水平位置进行对应设置的一列以上第二可焊接主栅线；第一绝缘层阵列与第二绝缘层阵列从上到下错开设置。

一种多主栅背接触异质结太阳电池的制作方法，它包括以下步骤：

步骤A，在半导体基板的第一主面上从左到右交替设置第一半导体区和第二半导体区，且在第一半导体区和第二半导体区之间设置隔离槽；

步骤B，在形成有第一半导体区和第二半导体区的半导体基板的第一主面上从上到下错开设置的两列以上绝缘区段；每一列绝缘区段仅设置在第一半导体区或第二半导体区，第一半导体区和第二半导体区分别设置有一列以上绝缘区段，各个第一半导体区和各个第二半导体区都设置有绝缘区段；设置在第一半导体区同一水平位置上的一列绝缘区段为第一绝缘层阵列，设置在第二半导体区同一水平位置上的一列绝缘区段为第二绝缘层阵列；

步骤C，在每个第二绝缘层阵列相同水平位置对应设置电连接各个第一半导体区的第一可焊接主栅线，在每个第一绝缘层阵列相同水平位置对应设置电连接各个第二半导体区的第二可焊接主栅线。

较之现有技术而言，本发明的优点在于：