[发明专利]电流传感器

权利要求书

1.一种电流传感器(100)

带有电流轨(101)，

带有磁场传感器(102)，

其中，所述磁场传感器(102)被设置为测量由流过所述电流轨(101)的电流感应的磁场，

其中，所述电流轨(101)与所述磁场传感器(102)之间布置有第一绝缘层(103)和第二绝缘层(104)，

其中，所述第一绝缘层(103)与所述第二绝缘层(104)之间的界面不与所述电流轨(101)接触和/或不与所述磁场传感器(102)接触。

2.根据权利要求1所述的电流传感器(100)，

其中，所述界面没有平行于从所述磁场传感器(102)的导电部段到所述电流轨(101)的导电部段的方向的部段。

3.根据权利要求1或2所述的电流传感器(100)，

其中，所述界面基本上垂直于从所述磁场传感器(102)的导电部段到所述电流轨(101)的导电部段的方向定向。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电流传感器(101)，

其中，所述第一绝缘层(103)和/或所述第二绝缘层(104)在从所述磁场传感器(102)的导电部段到所述电流轨(101)的导电部段的方向上的厚度大于10μm，特别是大于100μm和/或小于1000μm，尤其是小于200μm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电流传感器(100)，

其中，所述第一绝缘层(103)由第一材料制成，

其中，所述第二绝缘层(104)由第二材料制成，并且

其中，所述第一材料不同于所述第二材料。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电流传感器(100)，

其中，所述第一材料和/或所述第二材料具有值在2和12之间的介电常数。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电流传感器(100)，

其中，所述第一材料和/或所述第二材料具有大于10V/μm、特别是大于30V/μm的耐电压强度值。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的电流传感器(100)，

其中，所述第一材料和/或所述第二材料具有大于10¹⁰Ωcm、特别是大于10¹⁷Ωcm的绝缘电阻值。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电流传感器(100)，

其中所述界面具有连续的走向。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的电流传感器(100)，

其中，所述第一绝缘层(103)和/或所述第二绝缘层(104)包括胶合层，并且其中所述胶合层布置在所述界面处。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的电流传感器(900、1000)，

其中，所述第一绝缘层(903)或所述第二绝缘层(1004)是所述电流传感器(900、1000)的封装的部分。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的电流传感器(100、700)，

其中，所述磁场传感器(102、702)包括集成电路，其中所述集成电路具有基板侧和部件侧，并且其中磁场传感器元件(106、706)布置在所述部件侧。

13.根据权利要求12所述的电流传感器(100)，

其中，所述基板侧面向所述电流轨(101)。

14.根据权利要求13所述的电流传感器(700)，

其中，所述部件侧面向所述电流轨(701)。